可用于 a-Si∶H 太阳电池的钛硅化物的研究

用直流溅射法在ＩＴＯ玻璃衬底上溅射金属Ｔｉ膜后再用辉光放电法沉积ａ－Ｓｉ，研究了钛的硅化物的形成，利用ＸＰＳ、ＲＢＳ分析，确定了反应生成物为ＴｉＳｉ２，且生成物十分有效地阻挡了ＩＴＯ中的Ｉｎ的扩散；用ＵＳ／ＶＩＳ分光光度计测量了生成物的透过率发现其透过率在紫外部分较ＩＴＯ膜提高；测试了Ｔｉ／ａ－Ｓｉ界面的Ｉ－Ｖ特性，发现界面无势垒；测量了生成物的电阻率，数量级为几十μΩ·ｃｍ数量级。该钛的硅化物膜可用于非晶硅太阳电池的前电极。

SIMOX薄膜上形成钛硅化物的研究

本文报道了在SIMOX(Separation by IMPlanted Oxygen)薄膜材料上制备钛硅化物的研究结果。研究表明,不同厚度的SIMOX薄膜材料上都形成了均匀的TiSi_2,其薄层电阻为4.0—4.5Ω/□,上层Si中的载流子峰值浓度达2×10^(20)/cm^3,获得了一种TiSi_2/n^+-Si/SiO_2/Si的多层结构。形成TiSi_2后,As原子在上层Si中的分布与SIMOX薄膜厚度有关,当上层Si很薄时,As原子在上层Si与SiO_2埋层的界面上的堆积是明显的。

重掺杂对钛硅化物形成的影响

本文研究了重掺杂对两步快速退火(RTA)形成的钛硅化物的影响及形成机理,认为,重掺杂有妨碍TiSi_2形成的作用,钛硅化物的形成过程由硅的扩散和硅化物的成核过程组成。

VLSI中钛硅化物肖特基接触特性与退火条件

基于 Ti Si2 低电阻率的优点 ,采用 Ti制作肖特基二极管。在 VL SI工艺中实现同时完成钛硅化物欧姆接触和肖特基势垒二极管 (SBD)的制作。文中用 AES等技术研究不同退火工艺形成的 Ti/ Si界面形态和结构 ,寻找完善的工艺设计和退火条件。此外还测量 Al/ Ti N/ Ti/ Si结构的金属硅化物 SBD的有关特性。通过工艺实验确定 VL

同时形成用于浅结器件的TiN_xO_y/TiSi_2的热稳定性

用900℃15秒快速热退火使硅上钛膜在高纯NH_3中同时形成TiN_xO_y/TiSi_2双层结构.研究了TiN_xO_y作为Al的扩散势垒的有效性.结果表明,Al/TiN_xO_y/TiSi_2/Si接触系统直至550℃在N_2中烧结30分钟仍然具有良好的热稳定性.