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BaTiO_3半导瓷失效机理及可靠性增长技术
被引量:
1
1
作者
黎步银
姜胜林
+1 位作者
龚树萍
周东祥
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第10期29-32,共4页
为了提高BaTiO3半导瓷的可靠性,系统地研究了可靠性增长技术。针对BaTiO3半导瓷不同的失效模式,重点研究了瓷体电场分布、电阻率及温场分布、热应力、电极界面应力对BaTiO3半导瓷可靠性的影响及其作用机理,并从原材料控制、材料配方设...
为了提高BaTiO3半导瓷的可靠性,系统地研究了可靠性增长技术。针对BaTiO3半导瓷不同的失效模式,重点研究了瓷体电场分布、电阻率及温场分布、热应力、电极界面应力对BaTiO3半导瓷可靠性的影响及其作用机理,并从原材料控制、材料配方设计、均匀化技术、电极技术及测试技术等方面提出了增加可靠性的方法。
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关键词
钛酸钡半导瓷
可靠性
失效模式
失效机理
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职称材料
BaTiO_3半导瓷在电功率作用下的PTC特性
2
作者
李标荣
朱小荣
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
1997年第2期5-9,共5页
BaTiO3半导瓷在电功率作用下的PTC特性最好用电阻率-电场强度(ρ-E)特性曲线表示。ρ-E特性能很好地反映电功率作用下电阻突跃变化程度。不同散热条件的ρ-E特性也不同,ρ-E特性同时还能表示该元件的抗电场击穿能...
BaTiO3半导瓷在电功率作用下的PTC特性最好用电阻率-电场强度(ρ-E)特性曲线表示。ρ-E特性能很好地反映电功率作用下电阻突跃变化程度。不同散热条件的ρ-E特性也不同,ρ-E特性同时还能表示该元件的抗电场击穿能力。散热条件良好,可产生更大的电热功率。
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关键词
正温度系数
钛酸钡半导瓷
功率击穿
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职称材料
题名
BaTiO_3半导瓷失效机理及可靠性增长技术
被引量:
1
1
作者
黎步银
姜胜林
龚树萍
周东祥
机构
华中科技大学电子科学与技术系
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第10期29-32,共4页
基金
湖北省自然科学基金资助项目(2001ABB019)
国家863计划项目2001AA325040)
文摘
为了提高BaTiO3半导瓷的可靠性,系统地研究了可靠性增长技术。针对BaTiO3半导瓷不同的失效模式,重点研究了瓷体电场分布、电阻率及温场分布、热应力、电极界面应力对BaTiO3半导瓷可靠性的影响及其作用机理,并从原材料控制、材料配方设计、均匀化技术、电极技术及测试技术等方面提出了增加可靠性的方法。
关键词
钛酸钡半导瓷
可靠性
失效模式
失效机理
Keywords
BaTiO3 semiconducting ceramics
reliability
failure modes
failure mechanism
分类号
TN304.82 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
BaTiO_3半导瓷在电功率作用下的PTC特性
2
作者
李标荣
朱小荣
机构
东莞南方电子有限公司
东莞万鹰电子有限公司
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
1997年第2期5-9,共5页
文摘
BaTiO3半导瓷在电功率作用下的PTC特性最好用电阻率-电场强度(ρ-E)特性曲线表示。ρ-E特性能很好地反映电功率作用下电阻突跃变化程度。不同散热条件的ρ-E特性也不同,ρ-E特性同时还能表示该元件的抗电场击穿能力。散热条件良好,可产生更大的电热功率。
关键词
正温度系数
钛酸钡半导瓷
功率击穿
Keywords
positive temperature coefficient of resistance, semiconducting barium titanate, breakdown under power
分类号
TM283.014 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
BaTiO_3半导瓷失效机理及可靠性增长技术
黎步银
姜胜林
龚树萍
周东祥
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2003
1
下载PDF
职称材料
2
BaTiO_3半导瓷在电功率作用下的PTC特性
李标荣
朱小荣
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
1997
0
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职称材料
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