由半导体陶瓷制成的单片电子元件

一种由半导体陶瓷制成的单片电子元件．该元件包括交替堆叠的半导体陶瓷层与内部电极层组成的煅烧叠层以及形成于煅烧叠层上的外部电极，其中每层半导体陶瓷层包括半导体化煅烧钛酸钡。主要包含下列物质：氧化硼；

CdO掺杂对BaTiO3基半导化陶瓷PTCR效应的改善

钛酸钡基半导化陶瓷中的PTCR效应通常与材料中的施受主掺杂密切相关.蒸汽掺杂能够大幅度影响材料的PTCR效应.CdO在高温下具有较高的蒸汽压,是一种适用的蒸汽掺杂剂.研究了CdO以及CdO蒸汽对掺Y3+的Ba1-xSrxTiO3陶瓷的PTCR效应的影响,结果首次发现了Cd2+掺杂样品的PT℃R效应都有不同程度的提高,采用蒸汽掺杂时,效果更为显著.现有的理论很难解释Cd2+掺杂能够提高钛酸钡基材料PTCR效应,我们从缺陷化学的角度,分析了Cd2+在BaTiO3基材料中的行为,推断表明这种现象可能是由于铁电相变时,处于晶界区的Cd2+在Ba位和Ti位之间转换造成的.

功能陶瓷材料及其应用研究进展

介绍铁电、压电等功能陶瓷及其片式元件应用研究的若干新进展。基于过渡液相烧结机制的高性能压电陶瓷材料具有低烧结温度、高压电常数和低介质损耗等诸多优点。低烧多层压电变压器(MPT)以其低驱动电压、小体积、高升压比、薄型片式化等优点在液晶显示背光电源等方面获得应用。多层压电变压器及其背光电源具有高功率密度、高转换效率、薄型化和低成本等特点。基于缺陷化学原理和无晶粒长大的致密化烧结动力学,制备了亚微米／纳米晶钛酸钡基陶瓷及其薄层化贱金属内电极MLCC。研制了低烧铁氧体材料及其片式电感器。介绍了压电陶瓷超声微马达的结构与特性。

ⅡA族钙钛矿型氧化物半导瓷的结构与特性

研究了用于表面层和晶粒边界层型的BaTiO3 ,SrTiO3 陶瓷的还原、再氧化、掺杂与替位固溶的情况 .并对这类陶瓷的半导化特性与工艺过程的关系作了讨论 .文中指出 :只有良好的再氧化层才能具有良好的介电特性 ,而不是颗粒间的二相物质 .

MCM(MCP)封装测试技术及产品

1、简介 南通富士通的MCM封装测试技术是利用陶瓷基板或硅基板作为芯片间的互连，将二片以上的超大规模集成电路芯片安装在多层互连基板上，再用金丝与金属框架相连通，而后由树脂包封外壳的多芯片半导体集成电路（MCM）；在MCM中，数字和模拟功能可以混合在一起，专用集成电路可以和标准处理器、存储器封装在一起，Si、GaAs芯片也可以封装在一起，从而实现系统级封装（SiP）功能。