采用传统固相法制备WO3掺杂Bi4Ti3O(12)(Bi4Ti(3-x)WxO(12),BITW,0.00≤x≤0.16)层状高温压电陶瓷,研究了W^6+掺杂对Bi4Ti3O(12)(BIT)陶瓷晶体微观结构与电性能的影响。研究表明适量的W^6+掺杂能使BIT陶瓷的晶粒尺寸细化且均匀,有效地...采用传统固相法制备WO3掺杂Bi4Ti3O(12)(Bi4Ti(3-x)WxO(12),BITW,0.00≤x≤0.16)层状高温压电陶瓷,研究了W^6+掺杂对Bi4Ti3O(12)(BIT)陶瓷晶体微观结构与电性能的影响。研究表明适量的W^6+掺杂能使BIT陶瓷的晶粒尺寸细化且均匀,有效地提高了陶瓷的致密度,且WO3的引入降低了BIT陶瓷的电导率和介电损耗,提高了其压电与机电性能。当WO3掺杂量x=0.14时,陶瓷具有如下优异性能:压电常数d(33)=16 p C/N,平面机电耦合系数kp=8.1%,机械品质因数Qm=1942,介电常数εr=160(@100 k Hz),介电损耗tanδ=0.16%(@100 k Hz),居里温度Tc=632℃,在500℃下,电阻率ρ=9.4×10^7Ω·cm,表明BITW陶瓷在高温应用方面具有很大的前景。展开更多
基金National Natural Science Foundation of China(61671224)Science Foundation of Jiangxi Provincial Education Department of China(GJJ160919)。
文摘采用传统固相法制备WO3掺杂Bi4Ti3O(12)(Bi4Ti(3-x)WxO(12),BITW,0.00≤x≤0.16)层状高温压电陶瓷,研究了W^6+掺杂对Bi4Ti3O(12)(BIT)陶瓷晶体微观结构与电性能的影响。研究表明适量的W^6+掺杂能使BIT陶瓷的晶粒尺寸细化且均匀,有效地提高了陶瓷的致密度,且WO3的引入降低了BIT陶瓷的电导率和介电损耗,提高了其压电与机电性能。当WO3掺杂量x=0.14时,陶瓷具有如下优异性能:压电常数d(33)=16 p C/N,平面机电耦合系数kp=8.1%,机械品质因数Qm=1942,介电常数εr=160(@100 k Hz),介电损耗tanδ=0.16%(@100 k Hz),居里温度Tc=632℃,在500℃下,电阻率ρ=9.4×10^7Ω·cm,表明BITW陶瓷在高温应用方面具有很大的前景。
基金National Natural Science Foundation of China(51262009,50162014)Natural Science Foundation of Jiangxi(20133ACB20002,20132BAB202002,20142BAB316009)+1 种基金Colleges and Universities "Advanced Ceramics" Scientific and Technological Innovation Team of JiangxiFoundation of Jiangxi Provincial Department of Education(GJJ13630)
