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新型存储器FRAM与非易失性存储器
1
作者
窦振中
汪立森
《舰船电子对抗》
1996年第4期25-27,共3页
FRAM是一种新型非易失性存储器。这种存储器可以克服目前现有非易失性存储器的缺陷和限制。介绍其基本工作原理、结构及其特点,并把它与其他非易失性存储器的性能特点作了比较。
关键词
FRAM
铁电材料
钛酸锆酸铅陶瓷薄膜
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职称材料
题名
新型存储器FRAM与非易失性存储器
1
作者
窦振中
汪立森
机构
扬州大学师范学院物理系
船舶总公司
出处
《舰船电子对抗》
1996年第4期25-27,共3页
文摘
FRAM是一种新型非易失性存储器。这种存储器可以克服目前现有非易失性存储器的缺陷和限制。介绍其基本工作原理、结构及其特点,并把它与其他非易失性存储器的性能特点作了比较。
关键词
FRAM
铁电材料
钛酸锆酸铅陶瓷薄膜
分类号
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
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1
新型存储器FRAM与非易失性存储器
窦振中
汪立森
《舰船电子对抗》
1996
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