钝化层刻蚀对厚铝铝须缺陷影响的研究

国产中微机台在钝化层刻蚀工艺应用中发现容易导致后续的铝薄膜溅射工艺出现铝须缺陷(Whisker),进而造成产品出现开路/短路良率异常。影响AL whisker的因素很多,主要有两方面:一是由于AL film和上下地间TiN film之间热应力的不匹配容易导致AL whisker,其主要由铝溅射自身工艺能力决定;二是前层表面状况的影响。讨论中微机台刻蚀后的表面残留导致Al溅射后出现铝须缺陷的现象,并对其成因进行系统性分析,同时对其解决方案进行详细的介绍。

钝化层刻蚀(PAS2)电弧缺陷成因分析及改善方案研究

分析表明,在半导体刻蚀工艺中电弧(Arcing)缺陷一直是难以解决的挑战,尤其是绝缘介质刻蚀如通孔刻蚀、钝化层刻蚀(PAS2)工艺等。电弧缺陷对产品的影响是致命的,通常会造成产品报废,同时这种缺陷在发生的瞬间由于急剧的物理反应将产生大量的颗粒,对腔体造成污染。电弧缺陷的产生跟腔体的RF系统的硬件设计,工艺程式的参数设定、晶圆表面的图形结构、被刻蚀的膜层结构及上下层的连线等诸多因素有关。研究涉及的产品(称为产品A)上钝化层刻蚀(PAS2)工艺在量产过程中长期存在电弧(Arcing)缺陷异常发生率高(万分之六)的问题,远高于万分之一的业界标准。同时绝大部分的电弧缺陷均发生在晶圆Notch方向的Laser Mark结构上。探讨介质刻蚀工艺电弧缺陷的形成机理,并对所在工厂钝化层刻蚀工艺晶圆Laser Mark结构电弧缺陷的成因进行系统性的分析,同时对其解决方案进行详细的分析。