异质结构AgCl/Bi_2WO_6微米球制备、表征及其光催化性能（英文）

首先利用水热法制备了由纳米片组装的粒径为1.5–2μm的Bi2WO6微球,然后在微球表面沉积了不同含量的AgC l(5 wt%,10 wt%,20 wt%,30 wt%),制备了异质结构Ag Cl/Bi2WO6微球光催化剂.利用X射线粉末衍射、扫描电镜、透射电镜、红外光谱、紫外-可见漫反射吸收等手段对所制的光催化剂进行表征,并以紫外光和可见光分别为光源,罗丹明B为降解对象测试了其光催化活性,考察复合不同含量的AgC l对Bi2WO6光催化剂的性能影响.结果表明,沉积AgC l对Bi2WO6的晶体结构、表面性能和光吸收性能没有产生明显影响,但大幅度提高了Bi2WO6的紫外和可见光催化活性.当复合20 wt%Ag Cl时,AgC l/Bi2WO6光催化活性最佳,紫外光下比纯Bi2WO6提高了2.2倍,可见光下提高了1倍.这主要是由于形成的Ag Cl/Bi2WO6异质结能有效抑制光生电子和空穴的复合,从而提了其光催化性能.

Ba_(0.98)Bi_(0.02)(Ti_(0.9)Zr_(0.1))_(1-x)Cu_xO_3陶瓷的介电弛豫特征

采用固相反应法制备Ba0.98Bi0.02(Ti0.9Zr0.1)1-xCuxO3(x=0,0.01,0.02,0.03,摩尔分数)陶瓷。X射线衍射分析结果表明:所有样品均为四方晶体结构,摩尔分数为2%的Cu2+能够完全溶入Ba0.98Bi0.02(Ti0.9Zr0.1)O3陶瓷晶格中。Ba0.98Bi0.02(Ti0.9Zr0.1)1-xCuxO3陶瓷不同频率的介电温谱显示:所有样品均具有弥散相变的特征,当x=0、0.02、0.03时,样品有典型弛豫铁电体的特征。当x=0.01时,剩余极化强度达到最大值,为2.83μC/cm,矫顽场达到最大值,为3.07 kV/cm。基于纳米极性微区和局域无规场的理论解释了弛豫铁电体和带有弥散相变的铁电体之间的关系,即当由价态差异和缺陷引发的局域无规场相对较强且测试频率与纳米极性微区的弛豫频率相近时,在弥散相变温度区间内的介电弛豫行为才能被观察到;而局域无规场很弱的情况下,介电弛豫行为只有在更高的频率下才能被观察到。

BaBiO_3掺杂BaFe_(0.4)Sn_(0.6)O_3负温度系数热敏电阻的电学性能(英文)

用传统固态反应法制备多晶(1-x)BaFe0.4Sn0.6O3-xBaBiO3(0.05<x≤0.2)热敏陶瓷。用X射线衍射分析仪、带有能谱仪的扫描电子显微镜及阻温测试仪研究热敏陶瓷的渗流阀值、微结构和电学性能。结果发现:烧结(1-x)BaFe0.4Sn0.6O3-xBaBiO3陶瓷由钙钛矿型单斜BaBiO3和立方BaFe0.4Sn0.6O3组成;BaBiO3含量越多,热敏陶瓷的颗粒尺寸就越大;基于不同的BaBiO3含量,(1-x)BaFe0.4Sn0.6O3-xBaBiO3负温度系数热敏陶瓷表现出不同的电学性能;随着BaBiO3含量的增加,热敏陶瓷的室温电阻率、热敏常数及活化能均降低,分别为0.1～183.8 k?.cm、2 832～5 516 K及0.25～0.48 eV,渗流阀值为x=0.12时的BaBiO3含量。

BaBiO_(3)陶瓷靶材的烧制工艺优化及其晶粒生长机制

高质量的陶瓷靶材对于射频磁控溅射法可镀制出综合性能优异的BaBiO_(3)基负温度系数热敏薄膜至关重要。基于此,本工作以纯Ba Bi O_(3)靶材样品的收缩率、平整度和体积密度为主要质量特性衡量指标,通过改变保压时间、烧结温度、保温时间和升温速率等4个因素,设计了正交实验并加以分析各因素与靶材质量指标的构效关系。同时,基于烧结行为对BaBiO_(3)靶材晶粒生长的影响关系,包括调控烧结温度、保温时间和升温速率等关键烧结工艺参数,结合唯象方程和截距法,探讨了晶粒生长机制、生长指数n与关键影响因素间的内在关联性。基于此,进一步联合X射线衍射、Raman光谱、扫描电子显微镜和能谱等表征方法分析了不同工艺参数条件下靶材样品的相结构和元素构成,从而验证了正交化实验的有效性。结果表明,获得综合质量较优(变形程度小、致密度高和表观质量良好)的BaBiO_(3)陶瓷靶材的烧制工艺为:保压时间12 min、烧结温度750℃、保温时间120 min和升温速率2℃/min。