Cu掺杂对Fe/Si多层膜的层间耦合和负磁电阻效应的影响

研究了 Cu掺杂对 Fe/Si多层膜的层间耦合和负磁电阻效应的影响。在用磁控溅射方法制备的 Fe/Si多层膜中，发现在 Si的标称厚度 tSi=1.9 nm附近存在一较强的反铁磁耦合（ AFM）峰和与之相对应的负磁电阻峰。在 Si层中掺入 6％的 Cu后，发现反铁磁耦合峰的饱和场显著降低，峰宽变窄，峰位略向较厚方向移动。掺杂后磁电阻峰的缝宽和峰位变化与 AFM峰相似，而磁电阻峰值则略有下降。在液氮温度 T=77 K下，掺杂前后具有负磁电阻效应的多层膜样品的电阻率都降低，而磁电阻效应和饱和场均增大。实验结果表明，用磁控溅射方法制备的 Fe/Si多层膜的层间耦合机制和磁电阻效应的机制与磁性金属 /非磁金属多层膜的层间耦合及磁电阻效应的机制是一致的。