真空蒸馏法深度脱除精镉中Tl和In的研究

对真空蒸馏法深度脱除精镉中铊和铟进行了理论分析和实验研究,考察了蒸馏温度对Tl和In脱除效果的影响,并探讨了钢质材料中Fe元素对实验结果的影响。理论分析表明,在真空条件下,Tl和In与Cd均具有分离的可能性,且分离效果较好,即利用真空蒸馏法获得更高纯度的金属Cd是可行的。实验结果表明,随着蒸馏温度的升高,Cd的挥发率呈快速增加趋势,挥发物中的Tl含量增加迅速,Tl的脱除率减小幅度较大,挥发物中In含量增加缓慢且保持在较低水平,In的脱除率减小的幅度较小,挥发物中Fe含量一直保持在较低水平,含量始终保持在1×10^(-8)以下,说明利用钢质材料对提高精Cd纯度不会产生影响;当系统压力为2~5 Pa,蒸馏温度为643 K,保温时间为7 h条件下,精Cd的挥发率为16.21%,挥发产物中Tl含量为2.83×10^(-7),Tl的脱除率为99.76%,In的含量为2.327×10^(-7),In的脱除率为97.97%,可获得纯度为99.9999%的金属Cd。