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CMOS工艺中钨的化学机械抛光技术
1
作者
张映斌
赵枫
李炳宗
《微细加工技术》
EI
2006年第2期1-4,24,共5页
介绍了深亚微米CMOS集成电路中研制的关键技术———钨化学机械抛光,比较了化学机械抛光技术与传统反应离子回刻法在金属层与层之间的垂直连接中的优缺点,并指出了钨化学机械抛光工艺中尚存的一些问题,最后对该工艺进行了总结与展望。
关键词
集成电路互连
钨化学机械抛光
钨
插塞
凹陷
过蚀
钥孔现象
下载PDF
职称材料
题名
CMOS工艺中钨的化学机械抛光技术
1
作者
张映斌
赵枫
李炳宗
机构
中芯国际集成电路制造有限公司
出处
《微细加工技术》
EI
2006年第2期1-4,24,共5页
文摘
介绍了深亚微米CMOS集成电路中研制的关键技术———钨化学机械抛光,比较了化学机械抛光技术与传统反应离子回刻法在金属层与层之间的垂直连接中的优缺点,并指出了钨化学机械抛光工艺中尚存的一些问题,最后对该工艺进行了总结与展望。
关键词
集成电路互连
钨化学机械抛光
钨
插塞
凹陷
过蚀
钥孔现象
Keywords
IC interconnection
tungsten CMP
tungsten plug
dishing
erosion
key hole
分类号
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
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1
CMOS工艺中钨的化学机械抛光技术
张映斌
赵枫
李炳宗
《微细加工技术》
EI
2006
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