取代型钨硅杂多化合物的导电性及磁性

合成并表征了过渡金属取代的钨硅杂多化合物α－Ｎａｎ〔ＳｉＷ９Ｍ３（Ｈ２Ｏ）３Ｏ３７〕·１８Ｈ２Ｏ〔Ｍ＝Ｍｎ（Ⅱ），Ｃｕ（Ⅱ），Ｆｅ（Ⅲ）〕（简写α－ＳｉＷ９Ｍ３，以下类同）和α－Ｎａｎ〔ＳｉＷ１１ＭＯ３９（Ｈ２Ｏ）〕·１８Ｈ２Ｏ，在室温下，α－ＳｉＷ９Ｆｅ３的电导率σ值可达１０－３Ｓ·ｃｍ－１，３４３Ｋ时可达１０－２Ｓ·ｃｍ－１，表明是一类新型高质子导体，磁分析表明，α－ＳｉＷ９Ｍ３具有磁性．

单过渡金属配位的钨硅杂多化合物的合成性质及催化作用

本文合成了4种具有Keggin结构的杂多化合物K8SiW(11)O(39)·xH2O，K6[SiW(11)Z(H2O)O39]·xH2O(Z=Mn(2+)，Co(2+)，Ni(2+)），并通过元素分析极谱—循环伏安、差热热重、红外光谱X射线衍射等技术对这类杂多化合物的性质进行了系统研究，并对其结构和对H2O2分解的催化活性的关系进行了探讨。

钨硅杂多化合物的导电性

本文合成了过渡金属取代的钨硅杂多配合物a－SiW11M（M=Fe3+、Ni2+、Cu2+），并通过红外、紫外、ICP一DTA、EPR、183WNMR、XPS等手段进行表征。电导率结果表明，该类化合物是一类未见文献报道的新型高质子导体。

光化学合成缺位型α-9-硅钨杂多化合物及其性质研究

利用光化学方法合成了一种硅钨杂多化合物.元素分析得到该杂多化合物的分子式为H10SiW9O34.4H2O.通过UV-Vis,IR,XRD,TG-DTA和电化学等方法对化合物进行了表征,并与H4SiW12O40杂多酸(记为SiW12)和标准样品α-H10SiW9O34.4H2O(记为α-HSiW9)的性质进行比较研究,结果表明标题化合物为α-H10SiW9O34.4H2O,是一种三缺位的、具有Keggin基本结构骨架的杂多化合物.

聚喹啉/杂多阴离子杂化LB膜的制备与光电性质

LB film of new hybrid Polyquinolin/Trilacunary heteropolytungstoilicate (PQ/SiW9) was prepared and characterized by π-A isotherm, UV-Vis absorption spectroscopy, atomic force microscope(AFM), fluorescence spectroscopy. The results indicated that they had good film-forming property on the air-water interface. The molecular areas for these monolayers at zero pressure were estimated to be 7.2 nm2·mol-1. The collapse pressure of LB film was 46 mN·m-1. Their I^V curves results showed that the title LB films had good electric conductivity and the conductivity of the LB film increased with monolayers number.