溶剂热法合成SnWO_4及其可见光催化活性

采用溶剂热法合成了新型的可见光催化剂SnWO4,以甲基橙为目标污染物,考察了合成温度、合成时间和煅烧工艺对催化剂可见光催化活性的影响。实验结果表明:煅烧工艺会明显降低催化剂的光催化活性;在合成温度为180℃、合成时间为8h、未煅烧的条件下,合成的催化剂的光催化效果最好,光照90min后,对甲基橙的降解率可达99.93%。

薄层g-C_3N_4/β-SnWO_4异质结光催化剂的制备及性能

以β-SnWO_4和薄层g-C_3N_4为原料,通过静电力作用制备了具有异质结结构的薄层g-C_3N_4/β-SnWO_4光催化剂。通过X射线衍射、扫描电子显微镜、透射电子显微镜、紫外可见漫反射、荧光光谱仪等对薄层g-C_3N_4/β-SnWO_4光催化剂进行表征。通过在可见光下降解罗丹明B(RhB)来评价样品的光催化性能。结果表明,β-SnWO_4被嵌入薄层g-C_3N_4,且薄层g-C_3N_4质量分数为80%时,薄层g-C_3N_4/β-SnWO_4光催化剂的光催化性能最好,16min后RhB降解率可达96%。