提拉法生长钨酸钆镉晶体

用提拉法生长了四方晶系白钨矿结构的钨酸钆镉[CdGd2(WO4)4,CGW]晶体。通过X射线衍射分析计算出晶胞参数a=b=0.5204nm,c=1.1360nm。为改进CGW晶体的生长工艺,采取了一些避免生长过程中出现组分过冷现象的工艺措施,提出了晶体生长的最佳工艺参数:拉速为0.84mm/h,转速为40r/min,熔体中界面处的温度梯度为46～47℃/cm,冷却速率为32℃/h。测试了晶体的紫外–可见光谱和Raman光谱,测量得到晶体在紫外波段的截止波长为326nm,并讨论了晶体的紫外吸收边起源和Raman光谱中各峰的振动归属。

钨酸钆镉晶体的光学性能

测试了钨酸钆镉[CdGd2(WO4)4,CGW]晶体在200～700nm波段的透射光谱和反射光谱。结果显示:CGW晶体在可见光区吸收非常小,具有良好的透光性。对测量得到的光谱进行了数学处理,计算得到了描述CGW晶体宏观光学特性的重要物理量,即晶体的折射率n(λ)、消光系数k(λ)和吸收系数α(λ)。用(αE)1/2对E作图,得出了晶体的光学能隙为3.53eV,证明了CGW晶体是间接带隙半导体。