掺杂Eu^(3+)离子的钨酸锂的合成及其光电性能研究

采用固相反应法合成了掺杂Eu3+的Li2WO4材料,并用X射线粉末衍射仪、荧光分光光度计及交流阻抗技术对样品进行了观察和测试.结果表明:适量Eu2O3掺入的掺入可提高基质材料的发光和导电性能.

稀土铕提高钨酸锂电导性能的初步分析

采用固相法合成了掺杂Eu2O3的Li2WO4多晶固体离子导体材料Li2WO4+xEu2O3(x:0.00～0.17mol),并用X 射线粉末衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)及交流阻抗技术对样品的结构、形貌以及电导性能进行了观察和测试.结果发现,掺入适量Eu2O3可提高Li2WO4基质材料的电导性能.分析表明:非导电相Eu2O3的加入不仅减小了晶粒间电阻,而且使材料的电导活化能大大降低,从而提高了材料的离子电导率.

硅钨酸锂在聚合物电解质中的应用

采用萃取法制备了具有微孔结构的偏二氟乙烯-六氟丙烯共聚物[P(VDF-HFP)]膜,其中掺杂不同质量分数的硅钨酸锂(Li4SiW12O40),吸附碳酸丙烯酯(PC)后,具有10-4 S·cm-1的离子电导率。DSC分析结果显示,聚合物电解质的结晶度随Li4SiW12O40掺杂量的增加而降低。利用电化学阻抗法测试了聚合物电解质的离子电导率,发现当聚合物膜中掺杂8.5%(质量百分数)的Li4SiW12O40时,聚合物电解质具有较高的离子电导率(3.56×10-4 S·cm-1)。采用交流阻抗与直流极化相结合的方法测试了聚合物电解质的离子迁移数,随Li4SiW12O40的掺杂质量分数的增加,Li+离子迁移数逐渐降低。通过分析聚合物膜掺杂Li4SiW12O40前后的FTIR光谱图,发现Li4SiW12O40与P(VDF-HFP)共聚物分子链之间存在氢键和配位作用。

钨酸锂抑制β-淀粉样蛋白分泌及神经元的保护作用研究

目的研究钨酸锂对人淀粉样前体蛋白及早老素-1(M146L)细胞分泌β-淀粉样蛋白(Aβ1-42)的影响及其对体外培养新生小鼠大脑皮层神经元的保护作用。方法①体外培养转染AD相关基因、可分泌Aβ1-42的M146L细胞,在培养液中加入低、中、高剂量(3.1、5、8mmol/L)钨酸锂或阳性对照药,通过对M146L细胞活性及培养基中Aβ1-42含量的测定,研究钨酸锂对M146L细胞分泌Aβ1-42的影响。②体外无血清培养新生小鼠大脑皮层神经元,采用NSE免疫细胞化学染色法进行神经元鉴定;观察神经元突起生长状况,分析研究钨酸锂对大脑皮层神经元的神经保护作用。结果①低、中、高剂量钨酸锂对M146L均无细胞毒性;②低、中、高剂量钨酸锂可抑制M146L细胞分泌Aβ1-42;③原代培养的新生小鼠大脑皮层神经元,经NSE免疫细胞化学染色被染成棕褐色的细胞占绝大多数,表明所培养细胞基本为神经元;④除低浓度(0.008mmol/L)外,终浓度分别为0.2,0.04mmol/L的钨酸锂均能明显使突起数目和长度增加,可促进神经元的存活。结论适量的钨酸锂可抑制M146L细胞分泌Aβ1-42;对新生小鼠大脑皮层神经元具有神经保护作用。

钨酸锂铕荧光粉的制备及封装性能研究

文章简单介绍了钨酸锂铕(LiEuW2O8)荧光粉的制备方法,分析了该荧光粉的激发光谱、发射光谱的测试结果。该荧光粉具有较宽的激发光谱,适合与近紫外、蓝光以及绿光芯片配合使用。其发射光谱主峰位于615nm,色坐标位于(x=0.666,y=0.331)左右,具有较高的色纯度。通过分别对钨酸锂铕荧光粉及硫化物荧光粉进行封装,发现该荧光粉能有效降低色温,且对光效影响较小,适于低色温白光LED封装。

锂硼钨酸盐玻璃的分相及其对电性质的影响

本工作系统研究了 Li_2O-B_2O_3-WO_3系玻璃的分相及其对电性质的影响。研究结果表明,该系有一个很宽的玻璃分相区,并存在二次分相,分相后一相为富硼相,一相为富钨相。观察到微晶在两相界面处形成,说明分相促进了晶化。分相的结果,在碱性区,玻璃的离子电导率提高;在酸性区,玻璃离子电导率稍微降低,而电子导率升高。酸性区复合导电性玻璃分相后介电系数增大,而低频下的电极电容显著降低,主要起因于电子电导率的提高。