钨铜基板上氮化铝薄膜的沉积

采用直流反应磁控溅射的技术,在钨铜基片上沉积了AlN薄膜,通过X射线衍射、扫描电镜及能量色散能谱仪和电流电压测试仪对不同条件下制备的AlN薄膜的结构、形貌和电阻率进行了表征。结果表明,在一定范围内增加功率可以显著改善氮化铝结晶特性,在300 W时,氮化铝薄膜表现为比较明显的(100)择优取向,沉积速度达5μm/h;退火处理可以改善薄膜的结晶性,同时提高薄膜的电阻率;SEM分析表明,在300 W时,钨铜衬底上氮化铝比较均匀,较大钨颗粒已被覆盖,但致密性需要进一步提高。