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三取代钨锗杂多化合物的导电性
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作者 刘宗瑞 王力 张卫华 《内蒙古民族大学学报(自然科学版)》 1997年第2期169-172,共4页
合成了3A金属取代的钨错杂多化合物:α-GeW9M3(M=A1,Ga,In)。通过元素分析、红外、紫外、183WNMR以及热分析手段进行了表征。测定了电导率。结果表明:所合成的杂多化合物热稳定范围宽,不易失水,将是一类新型固体电解质。
关键词 钨锗杂多化合物 电导率 高质子导体
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