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三取代钨锗杂多化合物的导电性
1
作者
刘宗瑞
王力
张卫华
《内蒙古民族大学学报(自然科学版)》
1997年第2期169-172,共4页
合成了3A金属取代的钨错杂多化合物:α-GeW9M3(M=A1,Ga,In)。通过元素分析、红外、紫外、183WNMR以及热分析手段进行了表征。测定了电导率。结果表明:所合成的杂多化合物热稳定范围宽,不易失水,将是一类新型固体电解质。
关键词
钨锗杂多化合物
电导率
高质子导体
下载PDF
职称材料
题名
三取代钨锗杂多化合物的导电性
1
作者
刘宗瑞
王力
张卫华
出处
《内蒙古民族大学学报(自然科学版)》
1997年第2期169-172,共4页
基金
国家自然科学基金
文摘
合成了3A金属取代的钨错杂多化合物:α-GeW9M3(M=A1,Ga,In)。通过元素分析、红外、紫外、183WNMR以及热分析手段进行了表征。测定了电导率。结果表明:所合成的杂多化合物热稳定范围宽,不易失水,将是一类新型固体电解质。
关键词
钨锗杂多化合物
电导率
高质子导体
Keywords
Tungstogermanate heteropoly complex
Conductivity
Gigh - proton conductor
分类号
O614 [理学—无机化学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
三取代钨锗杂多化合物的导电性
刘宗瑞
王力
张卫华
《内蒙古民族大学学报(自然科学版)》
1997
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