铝镓取代的钨硅杂多配合物位置异构体的合成表征及催化性能

合成了通式为Ｋ５－ｎＨｎ［α－，βｉ－ＳｉＷ１１Ｍ（Ｈ２Ｏ）Ｏ３９］·ｘＨ２Ｏ（Ｍ＝Ａｌ，Ｇａ，βｉ＝β１，β２，β３）的八种异构体。通过元素分析、红外光谱和紫外光谱、极谱和循环伏安、２７Ａｌ和１８３Ｗ核磁共振、Ｘ光电子能谱等方法进行了表征。所合成的各异构体在催化以Ｈ２Ｏ２为氧化剂的顺丁烯二酸环氧化反应中。

钨硅/砷化镓肖特基接触的热稳定性分析

研究了以ＷＳｉ０．６复合材料作为靶源，采用直流磁控溅射工艺成膜，不同退火温度下ＧａＡｓ衬底材料上ＷＳｉ０．６膜层的特性。包括ＷＳｉ０．６／ＧａＡｓ系统断面ＳＥＭ分析，ＡＥＳ界面机构分析、表面形貌分析及金属－半导体肖特基势垒特性分析。实验结果表明，在氩气压力为１３３Ｐａ的气氛下，直流磁控溅射的ＷＳｉ０．６膜层与ＧａＡｓ衬底所构成的系统具有良好的物理、化学和电学性能。