微型NiFe磁阻(MR)薄膜传感元件在反磁化过程中的钩形畴活动

从NiFe磁阻（Magneto－Resistive）薄膜传感元件的实际结构出发，全面观察和分析了它在难轴方向反磁化过程中磁畴结构的转变过程发现，由于实际元件是不规则形状的，特别是由于引线形状各向异性的影响，即使在传感器形状比（aspectratio）大于50：1时，传感器中仍然不是单畴的。实验中具体观察了从引线衍生到传感器有效区域的钩形畴活动和它的不可逆转变，说明它是产生Barkhausen跳跃的一个潜在的物理原因。这是过去文献中所未曾充分注意和研究过的。