新型纳米薄膜钪钨阴极的研究

介绍了一种新型的纳米薄膜钪钨阴极,该阴极在1000℃(亮度温度)可以提供至少150 A/cm2的拐点电流密度。同时作者指出:含钪阴极的发射机制倾向于热电子发射机制还是"场助热电子发射"机制主要取决于阴极表面发射小岛的形成和维持。

氧化钪掺杂、亚微米结构多孔钨基扩散阴极的研究

为了改进氧化钪的分布均匀性及提高阴极表面氧化钪的扩散补充能力,作者在前期研究的基础上,分别采用液固掺杂和液液掺杂的方法制备了Sc2O3掺杂W粉基材,研究了利用这种W粉制作多孔钨基体的工艺技术和多孔体的微观结构.研究表明在改进压制、烧结技术的基础上,可以获得具有适当孔度的亚微米结构多孔基体.氧化钪在基体中的分布得到进一步改进.在这种基体中铝酸盐的浸渍率可以达到常规浸渍阴极的要求.发射试验结果表明,阴极具有很高的发射水平.研究还证实多孔体的结构越趋细微,越有利于阴极的发射均匀性和耐离子轰击的性能的改善.

发展中的钪酸盐钡钨阴极

本文全面系统地综述了钪酸盐钡钨阴极的发展趋向,并着重说明端层压制W+Sc_2O_3的浸渍型阴极发射电流密度大,抗离子轰击能力强的特性。

含钪扩散阴极用铝酸盐的制备及发射性能研究

采用液相共沉淀法和固相合成法分别制备411(4BaO:CaO:Al2O3)铝酸盐前驱粉末,在钨网氢气炉中高温烧结.采用喷雾干燥法结合两步氢气还原法制备出亚微米氧化钪掺杂钨粉.随后经过压制,烧结,浸渍,水洗,退火等工艺获得具有亚微米结构的含钪扩散阴极,并研究含钪扩散阴极的电子发射性能.实验结果表明,液相共沉淀法制备的铝酸盐在1500℃烧结后,铝酸盐中Ba5CaAl4O12衍射峰最强,结晶程度最高.液相共沉淀法含钪扩散阴极,脉冲发射电流密度在850℃达到37.89 A/cm2.在激活过程中,阴极表面形成"Ba-Sc-O"发射活性层,"Ba-Sc-O"发射活性层存在提高了阴极热电子发射能力,降低了含钪扩散阴极的蒸发速率.

脉冲氙灯阴极制备及性能研究

为提高脉冲氙灯的工作性能,降低脉冲氙灯的着火电压。文章围绕提高脉冲氙灯阴极的电子发射性能,采用等静压制、高温烧结、化学共沉淀法制备掺氧化钪铝酸盐、高温浸渍发射物质等工艺,制备出含钪钡钨阴极。对该阴极的热电子发射性能测试结果显示,在阴极温度分别为950℃、1 050℃和1 100℃时,阴极脉冲发射零场电流密度分别为23.6 A/cm^2、35.7 A/cm^2和49 A/cm^2。在铝酸盐中掺入一定量的氧化钪,其作用在于和铝酸盐中的氧化钡结合为2BaO+0.5Sc_2O_3,它成为氧化钡或钡原子的载体,起控制和补充发射源的作用。因此,在铝酸盐中掺一定量的氧化钪能显著提高阴极的电子发射能力,该阴极具有均匀性良好的热电子发射能力和较好的抗离子轰击能力。