负载型钯酞菁催化剂上CCl_2F_2的选择性加氢脱氯反应

负载型钯酞菁能有效催化CCl2 F2 的选择性加氢脱氯反应 ,在氟化物为载体的钯酞菁催化剂上 ,CCl2 F2转化成CH2 F2 的选择性可达 75 %以上 .对比研究表明 ,负载型钯酞菁催化剂上CCl2 F2 选择性加氢脱氯的稳态催化活性要高于普通的负载型金属钯催化剂 .在钯活性中心引入环状酞菁配体能有效提高催化剂在高腐蚀性反应条件下的稳定性 .红外光谱、X射线衍射和紫外 可见光谱表征揭示了负载型钯酞菁催化剂具有良好催化活性和催化稳定性的可能原因 .

钯酞菁配合物的荧光光谱与单线态氧的生成速率

分别测定了四--α(2,2,4-三甲基-3-戊氧基)酞菁钯(锌)和四--α(2,4-二叔丁基苯氧基)酞菁钯(锌)配合物的紫外-可见电子吸收光谱,荧光发射光谱和单线态氧生成速率,结果表明虽然酞菁钯的中心金属离子为开壳层电子结构,但其生成单线态氧(1O2)的能力与中心金属为闭壳层结构的相应取代酞菁锌相近,这可能是与其荧光发射很弱,系间串跃很强相关。

具有不同芳氧基取代酞菁钯聚集行为研究

为了研究具有不同芳氧基取代酞菁的聚集行为 ,合成了 5种酞菁如 1,8,15,2 2 四 (2 ,4 二氯芳氧基 )酞菁钯 (Pc1) ;1,8,15,2 2 四芳氧基酞菁钯 (Pc2 ) ;1,8,15,2 2 四 (2 ,4 二特丁基芳氧基 )酞菁钯 (Pc3 ) ;1,8,15,2 2 四 (2 ,5 二特丁基芳氧基 )酞菁钯 (Pc4)和 1,8,15,2 2 四 (2 ,6 二溴 4 甲基芳氧基 )酞菁钯 (Pc5) .酞菁的聚集行为由芳氧基的性质不同决定 .在四氢呋喃(THF)溶液中浓度在 10 - 6 ～ 10 - 5 mol·dm- 3 范围内 ,计算得到 5种酞菁的聚集常数分别为 1.61× 10 - 5 mol- 1·dm3,3 .87×10 - 5 mol- 1·dm3,2 .60× 10 - 5 mol- 1·dm3 ,1.2 1× 10 - 5 mol- 1·dm3 ,2 .57× 10 - 5 mol- 1·dm3.除了Pc1外 ,其余酞菁的单体和二聚体吸收行为类似 .在薄膜状态下 ,不同取代基对酞菁的吸收性质影响较大 .成膜后 5种酞菁的吸收光谱都发生了改变 ,其中Pc1的吸收形状改变最大 。

用正交试验选择多核钯－镍（1∶1）酞菁对Heck反应的最佳催化条件

通过正交试验得出多核钯－镍（１∶１）酞菁催化Ｈｅｃｋ反应的最佳条件并通过实验验证了各因素的影响趋势。

多核钯（Ⅱ）－镍（Ⅱ）（1：1）酞菁对Heck反应的催化研究

使用多核钯（Ⅱ）－镍（Ⅱ）（１：１）酞菁作催化剂催化Ｈｅｃｋ反应，得到１２种较高产率的取代Ｅ－１，２－二苯乙烯、Ｅ－肉桂酸和Ｅ－甲基肉桂酸。催化剂的催化活性可与均相催化剂乙酸钯（Ⅱ）的催化活性相比。本文所用催化剂易制备且可重复使用１４次左右。

酞菁钯-聚苯胺修饰声表面波传感器及含磷毒气的检测

针对含磷毒气快速检测问题，以自制的杂化酞菁钯-聚苯胺为敏感膜材料，设计了一种双信道声表面波（SAW）传感器。阐述了传感器的基本原理，推导出以有机膜作为信道中间介质时，差频输出△f由物理化学吸附两种机制叠加的数学模型．依据声波振荡条件，设计了146±5MHz振荡频率的信号采集电路；以钽酸锂晶体为压电基片，通过MEMS微加工技术形成叉指电极对和加热膜；以真空镀膜工艺将敏感膜材料成膜，修饰在SAW信道中间区域构成SAW传感器．测试结果表明：最优气敏性时的材料配比为PdPc0.35PANI0.65；芯片加热60～80℃可提高性能，响应时间≤30s；输出与测试气体浓度与数学模型一致，为线性变化率-110kHz（mg／m^3）的N型线性关系；抗汽油、CO2等气体干扰；80天稳定性考核，△f≤±0．1kHz，满足实际使用要求．

四氨基酞菁钯/γ-Al_2O_3可见光催化降解罗丹明B

采用浸渍法制备了四氨基酞菁钯(PdTAPc)/γ-Al_2O_3负载型光催化剂,采用UV-Vis,FTIR,XRD,SEM技术对其进行了表征,并将其用于罗丹明B的可见光催化降解,考察了光催化剂加入量、溶液pH、H_2O_2加入量、反应温度对罗丹明B降解效果的影响,并对光催化剂的稳定性进行了测试。表征结果显示,PdTAPc以圆片状负载于γ-Al_2O_3上,二者的结构均未发生明显变化。实验结果表明:在光催化剂加入量1.6 g/L、溶液pH 7.0、H_2O_2加入量12 mmol/L、反应温度20℃的优化条件下反应120 min,罗丹明B(质量浓度0.05 g/L)的降解率高达95%;光催化剂具有较高的稳定性,使用4次后罗丹明B的降解率仍高于85%。

四溴-2, 3-萘酞菁钯(Ⅱ)的合成及性质研究

在有机强碱１，８－二氮杂双环［５，４，０］＋－７烯（简称ＤＢＵ）存在下的醇溶剂中，用“分子碎片”与“金属离子”［Ｐｄ（Ⅱ）］通过模板反应合成了未见报道的四溴－２，３－萘酞菁钯（Ⅱ）［ＰｄＮｃＢｒ４］。在元素分析，ＩＲ光谱表征的基础上，研究了其在氧气气氛中的热稳定性、非水体系的电子吸收光谱。

酞菁钯及其对称取代四硝基衍生物的合成

采用改进的缩合法合成了酞菁钯及其对称取代四硝基衍生物 4 ,4′,4′′,4′′′-四硝基酞菁钯 。

芳氧基酞菁钯在二氧化硅凝胶基质中的植入光学性能的研究

采用Sol—gel湿化学工艺将芳氧基酞菁钯(ArOPcPd)植入到二氧化硅凝胶基质中,制备了均匀掺杂的复合干凝胶。通过对复合干凝胶的紫外—可见吸收光谱的表征,表明ArOPcPd主要以单体形式存在于凝胶基质中。对不同掺杂浓度复合干凝胶的光限幅性能进行了测试,证明了ArOPcPd的光限幅效应并讨论了掺杂浓度对复合材料光限幅性能的影响。

酞菁钯-PVC膜硫氰酸根离子选择性电极的研制及应用

研制了酞菁钯 PVC膜硫氰酸根离子选择性电极。在B.R缓冲体系(pH2.5)中,电极对SCN-离子响应的线性范围为1.0×10-5～0.1mol·L-1,检出限为7.28×10-6mol·L-1,斜率为56±1mV,电极具有良好的选择性和稳定性。用于印染厂废水中SCN-的测定,结果满意。

基于酞菁钯和C_(60)的异质结有机光敏场效应管

采用酞菁钯(PdPc)和C60两种有机半导体材料,通过真空热蒸镀法以不同的沉积顺序制备了两种不同结构的平面异质结有机光敏场效应管,并对这两种结构器件的光敏特性进行比较。在波长655 nm、光强100mW/cm2的光照条件下,结构为n+-Si/SiO2/PdPc/C60/Al(S&D)(PdPc/C60-OFET)器件的最大光暗比为2×103,光响应度为3 mA/W;而结构为n+-Si/SiO2/C60/PdPc/Al(S&D)(C60/PdPc-OFET)器件的最大光暗比为3×103,光响应度为11mA/W。实验结果表明C60/PdPc-OFET可以获得更好的光敏特性。

酞菁钯—PVC膜硫酸根离子选择性电极的研制及应用

以酞菁把为活性物质研制了对硫酸根离子有电位响应的离子电极。用电位滴定法测定了实验室废水中硫酸根离子浓度。在温度为25℃,浓度为0.01mol/L Tris的体系中,以PVC-酞菁把硫酸根离子电极为指示电极,氯化钡的Tris溶液为基准溶液、对硫酸根离子溶液进行电位滴定,精确度在2％以内,检出下限为3×10^(-4)mol/L,回收率在104％～99％之间,结果令人满意。

脱硫催化剂(2-羧基酞菁钯键合MCM-41)的合成及表征

为了降低空气中逐渐增多的硫化物,首先合成了2-羧基酞菁钯,然后将其键合在MCM-41的表面,运用红外光谱、粉末衍射、扫描隧道显微镜对其进行了表征,最后测定了它的催化活性。结果表明:当MCM-41表面键合2-羧基酞菁钯之后,对噻吩的去处率达到了98%。

HT-PdPcS敏化可见光催化降解对氯苯酚的研究

本文通过共沉淀法制备了钯酞菁功能化水滑石的光催化剂(HT-PdPcS)。利用XRD和IR对所得催化剂的物化性能进行了表征。考察了HT-PdPcS催化剂在可见光照射下,降解水溶液中酚类污染物的光催化活性。探讨了光催化反应中溶液pH值对催化反应的影响。利用GC-MS考察了酚类污染物的降解中间产物,实验结果表明:降解产物主要由羰基酸和CO2组成。异丙醇、NaN3和苯醌用着羟基自由基、单线态氧及超氧自由基活性成分的猝灭剂,实验结果表明:在氯苯酚光降解过程中羟基自由基和单线态氧是光催化反应中的主要活性成分。探讨了氯苯酚可见光降解的可能机理。

一种新的PVC膜铬(VI)离子选择电极的研制及应用

以自制的硝基酞菁钯研制了PVC膜铬(VI)离子选择电极.在B R缓冲液(pH为1.97)中,电极在铬(VI)离子浓度为1.0×10-5mol·L-1～1.0×10-2mol·L-1范围内呈良好的线性关系,检测限为2.95×10-6mol·L-1.实验测得的电极响应斜率与混合价态离子斜率的理论推断值相符.在选定的条件下,大部分的离子对铬(VI)的测定基本无干扰,电极用于电镀废水铬(VI)离子的测定,结果令人满意.

一种可见光波段光学限幅器的研究

研究了八异戊氧基钯酞菁 (octa PdPc)掺杂有机改性溶胶 凝胶玻璃反饱和吸收和热散焦光限幅特性 ,初步研究了一种室内防护的可见波段脉冲和连续激光限幅器。对于 488nm波长 ,当限幅器的孔径为 2 2cm时 ,使用一层厚度为 1mm的octa PdPc限幅介质 ,得到的透过率≤ 30 %;在不改变孔径的情况下 ,增加一层相同厚度的octa PdPc限幅介质 ,得到的透过率≤ 9%。通过调小孔径或增加介质层数 ,限幅性能可进一步提高。对于 6 32 8nm ,5 14 5nm和 45 7 9nm波长的光 ,与 488nm具有相似的限幅特性。