90 nm CMOS工艺平台金属硅化物工艺优化及其表征

半导体制程发展到0.18μm节点及以下时,主要采用金属钴硅化物来降低扩散区的电阻和接触孔的接触电阻。当工艺节点缩小到90nm时,由于结深变浅,金属钴硅化物的厚度和均一性对结漏电的影响越来越显著。针对金属钴硅化物形成的多个工艺参数进行调整,并通过电特性参数中不同尺寸扩散区及栅极电阻的变化以及透射电镜图像来表征。