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钼尖场致发射阵列阴极的性能研究 被引量:10
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作者 冯进军 丁明清 +4 位作者 张甫权 李兴辉 白国栋 彭自安 廖复疆 《液晶与显示》 CAS CSCD 2002年第1期39-43,共5页
利用微细加工技术和双向薄膜沉积技术对钼尖场发射阵列阴极的工艺进行了较为细致的研究 ,并在专用的真空系统中对所得阵列阴极的发射性能进行了测试 ,得到了一定的场致发射电流密度值。测试中采用数据采集系统监测栅极电压、阳极电压、... 利用微细加工技术和双向薄膜沉积技术对钼尖场发射阵列阴极的工艺进行了较为细致的研究 ,并在专用的真空系统中对所得阵列阴极的发射性能进行了测试 ,得到了一定的场致发射电流密度值。测试中采用数据采集系统监测栅极电压、阳极电压、阳极电流和栅极电流 ,测量了阴极阵列的发射稳定性和发射噪声。对发射的失效机理进行了实验研究和分析 ,认为发射失效的主要原因在于栅极和基底之间的漏电 ,尖锥和栅极孔间的暗电流 ,电极间的放电和放气 ,以及环境真空度和尖锥的不均匀性等。 展开更多
关键词 平板显示 致发射阵列阴极 发射稳定性 失效机理 射频器件 显示器件
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场致发射显示屏及其产品设计的相关技术 被引量:1
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作者 王保平 朱豪 刘璐 《电子器件》 EI CAS 1997年第3期25-30,共6页
本文全面介绍发场致发射显示屏(FieldEmisionDisplay)的研制历史和最新进展;系统地讨论了场致发射显示屏产品设计中的相关技术问题。
关键词 致发射显示屏 钼场致发射阵列
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