波纹廓形轧辊轧制钼基片坯的研究

工厂现有轧辊轧制钼板时,钼基片塑性较差,轧废现象严重,导致钼基片生产成本增大,因此觅寻合理的轧辊势在必行。通过CATIA建立轧辊和钼基片坯三维模型,然后导入DEFORM软件中,设定1200℃温度下钼的材料模型。基于金属塑性成形理论对模拟的结果进行分析,在压下量相同的情况下,波纹轧辊相比于现有轧辊施加给钼板应力更大,有利于提高钼片坯致密性。于此同时,波纹轧辊施加给钼基片坯的平均应力呈压应力情况较现有的轧辊施加的要明显。

金属钼圆基片平面研磨及其表面创成机理研究

目的实现金属钼圆基片高效平坦化加工,获得超光滑表面。方法采用游离磨料对钼圆基片进行平面研磨加工,研究磨料种类及研磨盘转速、研磨压力、研磨时间等工艺参数对研磨效果的影响规律,通过材料去除率(MRR)与表面粗糙度(Ra)的建模分析,对比钼材与高硬脆和高塑性材料,揭示其研磨工艺特性、探究其表面创成机理。结果钼圆基片材料去除快慢和表面形貌受各因素作用的综合影响。CeO_(2)磨料适合钼圆基片的研磨加工,材料去除方式为二体、三体摩擦塑性去除;在研磨过程中,MRR随研磨盘转速、研磨压力的递增而先增大后减小,在研磨盘转速为60 r/min、研磨压力为0.026 MPa条件下MRR达到最大;除磨料因素外,其他工艺因素对表面粗糙度的影响较小;MRR和Ra随加工时间的延长而趋于稳定;使用粒径W1 CeO_(2)磨料在研磨盘转速为60 r/min、研磨压力为0.026 MPa下研磨40 min后,表面粗糙度Ra由46 nm降至9.53 nm,MRR达1.16 mg/min。结论采用游离磨料研磨方法在优化工艺条件下可以有效降低表面粗糙度,获得良好表面。

预处理对钼基片镀钌层结合力的影响

常用的钼基片镀钌前预处理工艺包括碱洗除油、阳极浸蚀、酸洗、活化、预镀冲击镍。讨论了预处理工艺中碱洗工艺方案、阳极浸蚀的电流密度和时间,以及预镀冲击镍的电流波形对钌镀层结合力的影响。在65°C的50 g/L氢氧化钠溶液中以阳极电流密度16 A/dm2处理2 min,在体积分数为200 mL/L的硫酸溶液中以阳极电流密度0.05-0.10 A/dm2浸蚀30-45 s,采用占空比60%、频率1 kHz、平均电流密度10 A/dm2的脉冲电流在20-30°C的240 g/L氯化镍＋100 g/L盐酸溶液中预镀镍,可保证钌镀层结合力良好。

沉积温度对磁控溅射镀钌薄膜微观结构和附着力的影响

采用中频磁控溅射技术在钼圆片表面镀覆钌薄膜,通过X射线衍射仪、扫描电镜、平整度仪、宏观浸蚀试验和百格测试等对镀层进行表征和检测,研究不同沉积温度对薄膜微观结构和附着力的影响。结果表明,随着沉积温度由室温升至200℃,钌薄膜的表面平整性和致密性逐步改善,附着力得以提高;200℃沉积薄膜的膜/基结合力最大,其微观结构、致密性等也均达到最优;但当沉积温度进一步提高到300℃时,钌薄膜的表面起伏反而增大,附着力有所下降。