钼离子注入硅薄层硅化钼的合成

用大束流密度的钼金属离子注入硅，能够直接合成性能良好的薄层硅化物。随着束流密度的增加，硅化钼生长，薄层硅化物的方块电阻Ｒｓ明显下降，当束流密度为０．５Ａ／ｍ２时，Ｒｓ达到最小值９０ Ω，说明连续的硅化物已经形成。Ｘ衍射分析结果表明，注入层中形成了３种硅化铝Ｍｏ３Ｓｉ、 Ｍｏ５Ｓｉ３和ＭｏＳｉ２经过９００℃退火后， Ｒｓ下降至４Ω，电阻率可小到０．１６μΩ·ｍ，说明硅化钼薄层质量得到了进一步的改善。大束流密度注入和退火后，硅化钼优先生长有所不同。透射电子显微镜的观察表明，连续硅化钼薄层厚度为８０ｎｍ。