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基于四氧杂四烯衍生物荧光猝灭的钼酸根传感器
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作者 龙立平 王柯敏 +1 位作者 杨荣华 羊小海 《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 2002年第11期1021-1026,共6页
钼酸根离子 Mo O2 - 4在水溶液中对固定于聚氯乙烯 (PVC)膜中的 2 ,2 ,7,7,1 2 ,1 2 ,1 7,1 7-八甲基 -2 1 ,2 2 ,2 3 ,2 4-四氧杂四烯 (TOE)有可逆荧光猝灭作用。据此制成了可测定 Mo O2 - 4浓度的荧光化学传感器 ,其最佳组成为 :5 0 m... 钼酸根离子 Mo O2 - 4在水溶液中对固定于聚氯乙烯 (PVC)膜中的 2 ,2 ,7,7,1 2 ,1 2 ,1 7,1 7-八甲基 -2 1 ,2 2 ,2 3 ,2 4-四氧杂四烯 (TOE)有可逆荧光猝灭作用。据此制成了可测定 Mo O2 - 4浓度的荧光化学传感器 ,其最佳组成为 :5 0 mg PVC、1 0 0 mg癸二酸二异辛脂 (DOS)和 2 .6mg TOE。在 p H=8.0的 Tris/HCl缓冲溶液中Mo O2 - 4的线性响应范围为 1 .43× 1 0 - 7~ 5 .0× 1 0 - 4mol/L,检出限为 4.73× 1 0 - 8mol/L,响应时间小于 3 0 s。该传感器具有良好的重现性、可逆性和选择性 ,其它常见阴离子和阳离子不干扰测定。可测定低含量的白钨矿中的钼。 展开更多
关键词 四氧杂四烯衍生物 荧光猝灭 钼酸根传感器 光化学传感器 荧光光度法 分析 酸根离子 白钨矿 测定
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