钼酸铅晶体在光速测量实验中的应用

钼酸铅晶体是一种声光性能优异的新型功能材料,将其引入光拍法测量光速实验中,介绍了光拍法测量光速的基本原理,分析了在实验中所具有的优势以及对实验的改进。声光器件性能的优劣对光拍法测量光速实验的误差影响显著,由于钼酸铅晶体声光品质因数大,对于一定的声功率,较易获得理想的衍射效率,以此为主的声光器件能够使实验误差控制在±0.5以内,且简易,成本低,表明了钼酸铅晶体在近代物理实验中具有潜在的实用价值。

离子束辅助沉积钼酸铅晶体表面红外增透膜

由于钼酸铅晶体具有优异的机械特性、光学特性及较高的声光品质因数,故采用离子束辅助沉积技术,在钼酸铅晶体表面制备了宽带红外增透膜。文章简单介绍了镀膜设备的改造特点,并对整个工艺过程进行了分析研究。试验表明所镀膜层的光学特性及膜层品质大大提高,在光纤通信领域具有广阔的应用前景。

钼酸铅晶体表面红外增透膜的研究

本文讨论了用于钼酸铅晶体表面的宽带红外增透膜的设计以及其在真空环境中的制备。膜系设计中 ,运用反射率图解法以获得满意的光学性能 ;与传统的热蒸发镀膜工艺相比 ,在真空沉积过程中采用了离子辅助沉积技术 ,从而大大提高了膜层的光学特性及膜层品质。试验表明所镀膜层性能优异 。

IAD技术在钼酸铅晶体表面镀膜中的应用

讨论了离子束辅助沉积技术在真空沉积过程中的应用原理。通过与常规的热蒸发工艺镀制的膜层相比较 ,证实了离子束辅助沉积技术有助于提高钼酸铅晶体表面红外增透膜的膜层品质及中心波长位置的精确度。

钼酸铅单晶生长及其缺陷研究

本文通过CZ法生长钼酸铅单晶,讨论了温度梯度、拉速、转速等生长参数对晶体质量的影响,分析了晶体开裂、包裹物等宏观缺陷以及位错等微观缺陷的形成机理,并从晶体形态、包裹体和位错密度变化方面探讨了晶体生长参数与晶体缺陷之间的内在关系,从而优化温度梯度等生长参数.温度梯度为20～25℃/cm,晶体转速为28r/min,拉速为1.6mm/h时,生长出的晶体形态完整,无开裂现象,晶体中无气泡包裹体,位错密度明显减小,晶体尺寸达φ40mm×70mm,无散射颗粒,在波长0.42～5.5μm范围内,平均透光率为72.6%.

电致旋光效应实验设计

利用钼酸铅(PbMoO_4)晶体样品,设计实现了线性电致旋光效应实验,介绍了实验原理、实验装置、实验内容和实验方法等。该文为开设电致旋光效应实验课程提供了理论与实验基础。

法拉第磁光效应与电致旋光效应互补特性实验

利用单块钼酸铅(PbMo_O4,PMO)晶体,实验验证了法拉第磁光效应与电致旋光效应的互补特性.该实验的教学意义在于使学生通过实验理解这两个光学效应的共同本质属性,即它们均属于外场致偏振旋光调制.实验装置主要包括两个偏振器、钼酸铅晶体及其调制电压源和电流源;当将相位相反的交流调制电流和电压同时施加于钼酸铅晶体时,实验观测到磁光调制和电致旋光调制具有相互补偿的特性,其补偿电压约为0.541 kV/A.

PbMoO4晶体生长基元和生长习性的高温拉曼光谱研究

应用高温拉曼光谱研究了PbMoO4熔体中的生长基元.通过对不同温度下PbMoO4晶体拉曼光谱和熔点温度附近熔体高温拉曼光谱的研究,发现PbMoO4熔体中存在Pb2+阳离子和[MoO4]2-阴离子生长基元.进一步讨论了PbMoO4晶体生长基元和各个低指数晶面间的相互作用,解释了晶体的生长习性和枝晶生长的原因,并指出:PbMoO4晶体生长的最佳籽晶取向是平行于其{101}面所围成的棱锥表面的方向.

晶体与微声材料

Y2002-63302-112 0304938CuO2层间耦合与 Bi2Sr2Ca1-xGdxCu2O8+δ单晶的各向异性特性=The CuO2 interlayer coupling and anisotropicproperties in Bi2Sr2Ca1-xGdxCu2O8+δsingle crystals[会,英]/Li,X.-G.& Zhao,X.//2001 IEEE Hong KongElectron Devices Meeting.—112～115（E）0304939钼酸铅晶体表面红外增透膜的研究（刊）/周团团//真空科学与技术学报.—2002,22（5）.—392～394（L）