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低电阻钼钽布线材料
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作者 左麟 《国外科技消息》 1989年第6期11-12,共2页
关键词 布线材料 钼钽合金薄膜 液晶显示器
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SPS制备难熔钼及钼钽溅射靶材的组织和性能 被引量:3
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作者 刘大伟 张久兴 +1 位作者 黄蕾 潘亚飞 《硬质合金》 CAS 2022年第1期12-20,共9页
采用放电等离子体烧结(SPS)技术,在烧结温度1 400~1 600°C、保温时间5min及压力30 MPa下制备纯钼和两种不同成分(Mo-3%Ta、Mo-5%Ta,质量分数)的钼钽靶材。研究了烧结样品的物相、显微形貌、致密度、硬度及热导率,并与商业纯钼靶材... 采用放电等离子体烧结(SPS)技术,在烧结温度1 400~1 600°C、保温时间5min及压力30 MPa下制备纯钼和两种不同成分(Mo-3%Ta、Mo-5%Ta,质量分数)的钼钽靶材。研究了烧结样品的物相、显微形貌、致密度、硬度及热导率,并与商业纯钼靶材的性能进行对比。结果表明:SPS烧结的钼靶材晶粒尺寸远小于商业纯钼靶材,在密度、硬度及热导率方面二者无明显差别。与SPS烧结的钼靶材相比,钼钽靶材的晶粒尺寸更小,密度相近,硬度值更高,但是热导率低。此外,随着钽含量的增加,钼钽靶材的热导率及晶粒尺寸减小且硬度增加。通过综合分析,可以确定Mo-5%Ta靶材的最佳烧结温度为1 400°C,相应的致密度为99.31%±0.25%、晶粒尺寸为1.93±0.32μm、维氏硬度为315.15±13.83及热导率(25°C)为148.037±5.169 W/(m·K)。 展开更多
关键词 SPS 难熔金属溅射靶材 钼钽 组织 性能
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耐尔蓝-钽钼杂多酸缔合物显色体系的研究 被引量:6
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作者 李祖碧 徐其亨 《分析试验室》 CAS CSCD 北大核心 1992年第3期1-4,共4页
本文研究了耐尔蓝(NB)-钽钼杂多酸-聚乙烯醇高灵敏的显色体系。在0.013~0.13mol/L硫酸溶液中,钽与钼酸铵形成钽钼杂多酸,在聚乙烯醇存在下,在1.08~1.98mol/L硫酸介质中,钽钼杂多酸与耐尔蓝形成离子缔合物。缔合物的最大吸收在625nm,... 本文研究了耐尔蓝(NB)-钽钼杂多酸-聚乙烯醇高灵敏的显色体系。在0.013~0.13mol/L硫酸溶液中,钽与钼酸铵形成钽钼杂多酸,在聚乙烯醇存在下,在1.08~1.98mol/L硫酸介质中,钽钼杂多酸与耐尔蓝形成离子缔合物。缔合物的最大吸收在625nm,表观摩尔吸光系数ε值为2.26×10~6L·mol^(-1)·cm^(-1),Ta(Ⅴ)浓度在0~2.6μg/25mL符合比耳定律。用平衡移动法确定了缔合物的摩尔比为Ta(Ⅴ):NB=1:3。所提出的方法已用于合金钢和某些矿物中痕量钽的测定,结果较满意。 展开更多
关键词 杂多酸 耐尔蓝 分光光度法
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HTaMoO_6的催化性能在乙酸异戊酯合成上的应用
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作者 席晓光 《渤海大学学报(自然科学版)》 CAS 1998年第1期30-32,共3页
本文首次研究了以HTaMoO6为催化剂合成了乙酸异戊酯,介绍了HTaMoO6的合成方法,探讨了用HTaMoO6为催化剂合成乙酸异戊酯的反应条件。
关键词 钼钽 催化 乙酸异戊酯
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电感耦合等离子体原子发射光谱法测定高硅铝合金中Nb、Mo、W、Ta含量 被引量:2
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作者 刘喜山 高颂 +1 位作者 庞晓辉 李蓓 《分析仪器》 CAS 2016年第4期29-31,共3页
介绍了用ICP-OES法测定高硅铝合金中铌、钼、钨、钽元素的方法。通过溶样方法的选择、仪器工作参数的优化、基体和共存元素的影响等试验,确定了采用盐酸、氢氟酸和硝酸溶解样品,用基体匹配方法消除基体钛对测定的影响。在仪器最佳工作... 介绍了用ICP-OES法测定高硅铝合金中铌、钼、钨、钽元素的方法。通过溶样方法的选择、仪器工作参数的优化、基体和共存元素的影响等试验,确定了采用盐酸、氢氟酸和硝酸溶解样品,用基体匹配方法消除基体钛对测定的影响。在仪器最佳工作条件下,选择了Nb:269.706nm、Mo:202.030nm、W:239.708nm、Ta:240.063nm为待测元素分析线,测得的方法检出限是0.001-0.002μg/mL。加标回收和精密度结果表明:本方法快速、准确,可以满足铝合金中的铌、钼、钨、钽元素的测定要求,方法 RSD〈9.45%,回收率90%-110%。 展开更多
关键词 电感耦合等离子体原子发射光谱法 高硅铝合金 铌、、钨、
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Electronic Structure ofTiAl-2M(M=V,Nb,Ta,Cr,Mo,W,Mn) Alloy
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作者 HUANG Zun-Xing LI Jun-Qian +2 位作者 WU Li-Ming ZHANG Yong-Fan ZHOU Li-Xin(Department of Chemistry, Fuzhou University, Fuzhou, 350002)(State Key Laboratory of Structural Chemistry, Fuzhou, Fujian, 350002)TIAN An-Min(Department Of Chemistry, Sichuan University, C 《Chinese Journal of Structural Chemistry》 SCIE CAS CSCD 1998年第1期74-79,共6页
The electronic structures of TiAl-2M(M=V, Nb, Ta, Cr, Mo, W,Mn) alloy have been investigated using EHT band calculation method. Their bandstructures and average prperties have been obtained. The results show that dopi... The electronic structures of TiAl-2M(M=V, Nb, Ta, Cr, Mo, W,Mn) alloy have been investigated using EHT band calculation method. Their bandstructures and average prperties have been obtained. The results show that doping thetransition metal elements can effectively change the band structure and enable the alloysystem to show the stronger metallic feature. The dopants of V, Cr and Mn increase s-orbital component of Ti and Al in bonding orbital, therefore, there is more sphericalelectronic clound and weakly directional bonds in the crystal, which improve the duictil-ity of the alloy, Nb or Ta makes stronger bonding with Ti and Al, which improvestrength and oxidation resistance of the alloy. 展开更多
关键词 electronic structure TiAl alloy band structure EHT method
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