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新型稀土钼阴极材料及器件研究 被引量:1
1
作者 周美玲 《材料导报》 EI CAS CSCD 2001年第2期20-20,共1页
由北京工业大学周美玲教授承担的国家“九五”863计划项目“新型稀土钼功能材料研究与开发”(863-715-011-008),旨在系统研究稀土钼(La-Mo)的电子发射规律与机理,建立稳定的稀土钼阴极材料及电子管制备工艺规范,以实现在我国率先研制出... 由北京工业大学周美玲教授承担的国家“九五”863计划项目“新型稀土钼功能材料研究与开发”(863-715-011-008),旨在系统研究稀土钼(La-Mo)的电子发射规律与机理,建立稳定的稀土钼阴极材料及电子管制备工艺规范,以实现在我国率先研制出有自主知识产权的工作温度低、无放射性污染、韧性高的中大功率电子管用新型稀土钼阴极材料,以取代有放射性的钍钨阴极材料。经过项目组的攻关,在稀土钼的材料加工、阴极成型性能、发射性能和稳定性方面都取得了重大突破,达到了实用化水平。研究成果处于国际领先地位。 展开更多
关键词 稀土钼阴极材料 电子管 性能
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钼阴极表面电子流的HRTFEM观察
2
作者 窦菊英 陈尔纲 +1 位作者 杨德清 朱长纯 《电子显微学报》 CAS CSCD 2000年第4期619-620,共2页
关键词 钼阴极 表面电子流 HRTFEM
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FU105大功率广播发射管用碳化镧钼阴极研究 被引量:1
3
作者 万小峰 张久兴 +2 位作者 周文元 李湘波 周美玲 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期116-119,共4页
研究了FU105大功率广播发射管用碳化镧钼阴极,参照碳化钍钨阴极FU105管的制备工艺,实现了镧钼阴极的碳化以及镧钼阴极FU105管的排气和老炼。通过镧钼阴极FU105管的性能测试,对碳化镧钼阴极的发射能力和稳定性进行了分析。结果认为:FU10... 研究了FU105大功率广播发射管用碳化镧钼阴极,参照碳化钍钨阴极FU105管的制备工艺,实现了镧钼阴极的碳化以及镧钼阴极FU105管的排气和老炼。通过镧钼阴极FU105管的性能测试,对碳化镧钼阴极的发射能力和稳定性进行了分析。结果认为:FU105管碳化镧钼阴极的发射能力可以达到碳化钍钨阴极的水平,但其稳定性还有待改进。 展开更多
关键词 钼阴极 FU105发射管 碳化 稀土
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钼尖场致发射阵列阴极的性能研究 被引量:10
4
作者 冯进军 丁明清 +4 位作者 张甫权 李兴辉 白国栋 彭自安 廖复疆 《液晶与显示》 CAS CSCD 2002年第1期39-43,共5页
利用微细加工技术和双向薄膜沉积技术对钼尖场发射阵列阴极的工艺进行了较为细致的研究 ,并在专用的真空系统中对所得阵列阴极的发射性能进行了测试 ,得到了一定的场致发射电流密度值。测试中采用数据采集系统监测栅极电压、阳极电压、... 利用微细加工技术和双向薄膜沉积技术对钼尖场发射阵列阴极的工艺进行了较为细致的研究 ,并在专用的真空系统中对所得阵列阴极的发射性能进行了测试 ,得到了一定的场致发射电流密度值。测试中采用数据采集系统监测栅极电压、阳极电压、阳极电流和栅极电流 ,测量了阴极阵列的发射稳定性和发射噪声。对发射的失效机理进行了实验研究和分析 ,认为发射失效的主要原因在于栅极和基底之间的漏电 ,尖锥和栅极孔间的暗电流 ,电极间的放电和放气 ,以及环境真空度和尖锥的不均匀性等。 展开更多
关键词 平板显示 尖场致发射阵列阴极 发射稳定性 失效机理 射频器件 显示器件
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北工大研制的稀土钼热阴极材料获国际发明金奖
5
作者 李峰 《功能材料信息》 2005年第1期72-72,共1页
据报导,在不久前结束的第五届中国国际发明展览会上,北京工业大学研制的新型稀土钼热阴极材料喜获金奖。此次展览会,来自世界10多个国家,及国内30多个省市的40多个展团带来了世界先进的发明创造,其中既有推动产业前进的高新技术成... 据报导,在不久前结束的第五届中国国际发明展览会上,北京工业大学研制的新型稀土钼热阴极材料喜获金奖。此次展览会,来自世界10多个国家,及国内30多个省市的40多个展团带来了世界先进的发明创造,其中既有推动产业前进的高新技术成果,也有方便百姓生活的科技项目。 展开更多
关键词 北京工业大学 稀土阴极材料 第五届中国国际发明展览会 国际发明金奖
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Mo-La_2O_3阴极热电子发射稳定性研究
6
作者 周文元 张久兴 +2 位作者 万小峰 周美玲 左铁镛 《中国稀土学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期335-335,共1页
本文研究了碳化工艺及其对Mo La2 O3阴极热电子发射性能的影响 ,同时探讨Mo La2 O3阴极FU 6 0 5 1电子管在不同温度下的发射性能和发射电流稳定性。研究结果表明 :在低温时 ,随碳化温度升高 ,碳化度增加 ,在 172 3K碳化度最高 ,为 19 7... 本文研究了碳化工艺及其对Mo La2 O3阴极热电子发射性能的影响 ,同时探讨Mo La2 O3阴极FU 6 0 5 1电子管在不同温度下的发射性能和发射电流稳定性。研究结果表明 :在低温时 ,随碳化温度升高 ,碳化度增加 ,在 172 3K碳化度最高 ,为 19 7%。当碳化温度超过 172 3K后 ,碳化温度升高 ,碳化度反而下降。在碳化初期 ,Mo La2 O3阴极碳化度随碳化时间的延长而增加 ,刚开始时 ,碳化度增加幅度较大 ,随着碳化时间的增加 ,碳化增加越来越少。当碳化时间超过 6min后 ,碳化时间增加 ,Mo La2 O3阴极的碳化度基本不变。苯压强较低时随着苯压强增加 ,Mo La2 O3阴极碳化度随之提高 ;而当苯压强达到 1 5× 10 - 2 Pa时 ,得到阴极的碳化度最高 ,为 19 7% ,当苯压强超过 1 5× 10 - 2 Pa以后 ,随着苯压强进一步增加 ,碳化度反而降低 ,Mo La2 O3阴极电子管FU 6 0 5 1在 170 0~ 180 0K温度范围内工作时 ,才具有良好稳定的发射电流。碳化度为 18 7%的Mo La2 O3阴极FU 6 0 5 1在 1773K工作温度下 ,具有优异的稳定发射电流 ,其寿命超过30 0 0h。 展开更多
关键词 -氧化镧阴极 电子发射稳定性 碳化工艺 碳化度 寿命
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低氢过电位RaneyNi-Mo活性阴极的研究 被引量:3
7
作者 高润生 苏清茂 +3 位作者 张斌 赵韫 帅志清 柯家骏 《氯碱工业》 CAS 1994年第3期9-11,共3页
本文利用喷涂技术研制出一种低氢过电位RaneyNi-Mo活性阴极,在相同的测试条件下,其析氢过电位比低碳钢阴极至少降低300mv,催化活性稳定,抗断电能力强,是氯碱工业和工业水电解的新型的节能材料。
关键词 电极 活性阴极 低氢过电位
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巯基棉分离-原子吸收光谱法测定高纯阴极铜中银
8
作者 张汉瑛 刘凤英 《理化检验(化学分册)》 CAS CSCD 北大核心 1992年第5期280-281,共2页
高纯阴极铜中银的测定方法,经文献调查,目前国际、国内标准方法还未见报道。有报道火试金法:碲作载体与银共沉淀法;以石油硫醚(PS501)从HNO5介质中萃取银法;火焰原子吸收法;电位溶出法和石墨炉AAS法等。但火试金法操作繁琐,时间冗长;有... 高纯阴极铜中银的测定方法,经文献调查,目前国际、国内标准方法还未见报道。有报道火试金法:碲作载体与银共沉淀法;以石油硫醚(PS501)从HNO5介质中萃取银法;火焰原子吸收法;电位溶出法和石墨炉AAS法等。但火试金法操作繁琐,时间冗长;有机溶剂萃取法价格昂贵,污染严重:原子吸收法、极谱法由于铜量高,存在分离基体问题:石墨炉AAS法仪器昂贵还未普及。据文献介绍,巯基棉是近年发展的新型固体吸附剂,对银有较强的亲合能力,但其还原性较强,反应后存在有羟基、少量醛基和羧基,故吸附反应是复杂的。随着溶液介质、不同组成的物料其分离吸附效果各异。目前国内有关巯基棉应用于高纯铜中银的测定方法还未见报道。因此,我们对含银量为0.00025%~0.0025%试样进行了探索性试验。在我们拟定的试验条件下,对Ag:Cu=1:8×105以上试样均得到满意的分析结果。 展开更多
关键词 阴极 巯基棉 分离 AAS法
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A Modified Cold Molybdenum Cathode Penning Ion Source 被引量:1
9
作者 Adel Gomah Helal Hesham El-Khabeary Tawfik Samah Ibrihem Radwan 《Journal of Physical Science and Application》 2013年第4期229-237,共9页
In this paper, design and construction of a modified cold molybdenum cathode Penning ion source was described. It consists of copper cylindrical anode with two cone ends and two movable cold molybdenum cathodes. The t... In this paper, design and construction of a modified cold molybdenum cathode Penning ion source was described. It consists of copper cylindrical anode with two cone ends and two movable cold molybdenum cathodes. The two cathodes were placed symmetrically at two ends of the anode. The modifications were decrease the length of the cylindrical anode to 4 cm instead of 6 cm, transform the copper emission electrode shape from plate of 40 mm length, 25 mm width and 2 mm thickness to disc of 20 mm diameter and 2 mm thickness and transform the inner uncovered area of the emission electrode from slit of 30 mm length and 10 mm width to disc of 5 mm diameter. The copper emission electrode was placed in the middle of the cylindrical anode and has aperture in the center of different diameters. Faraday cup was placed at different distances from the emission electrode aperture. The electrical discharge and the output ion beam characteristics of the modified ion source were measured at different pressures using argon gas. It was found that the optimum operating conditions of the modified ion source are; anode-cathode distance equal to 6 mm, emission electrode aperture diameter equal to 2.5 mm and emission electrode aperture, Faraday cup distance equals 3 cm. The effect of axial samarium cobalt permanent magnet of intensity equal to 300 Gauss on the discharge characteristics of the ion source was determined. 展开更多
关键词 Penning ion source cold molybdenum cathode samarium cobalt permanent magnet.
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Mo-La_2O_3阴极碳化层组织结构研究
10
作者 周文元 张久兴 +1 位作者 周美玲 相志磊 《中国稀土学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第5期586-590,共5页
采用高分辨透射/扫描电镜,X射线衍射和俄歇探针等分析手段对实用型的FU-6051电子管的碳化Mo-La2O3阴极显微组织结构进行了观察分析。碳化Mo-La2O3阴极碳化层为疏松多孔的Mo2C块状组织,其中有许多垂直于丝轴方向的晶界与孔洞串,相互贯通... 采用高分辨透射/扫描电镜,X射线衍射和俄歇探针等分析手段对实用型的FU-6051电子管的碳化Mo-La2O3阴极显微组织结构进行了观察分析。碳化Mo-La2O3阴极碳化层为疏松多孔的Mo2C块状组织,其中有许多垂直于丝轴方向的晶界与孔洞串,相互贯通直至阴极表面。碳化层与芯部基体钼结合良好,两者间无明显的过渡层。活性物质La2O3在阴极的碳化层和基体中分布均匀,但在阴极表面有相当程度的富集。La2O3在碳化层中以两种方式存在:在晶界、孔洞中以微米级的颗粒富集,在Mo2C晶体内部弥散分布纳米级La2O3粒子。 展开更多
关键词 钼阴极 碳化层 微观组织与结构
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Progress on RE2O3-Mo/W matrix secondary emitter materials 被引量:1
11
作者 WANG JinShu DONG LiRan +2 位作者 LIU Wei YANG Fan CHEN ShuQun 《Science China(Technological Sciences)》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第10期1439-1446,共8页
Two types of secondary emitter materials, the rare earth oxides(RE_2O_3) doped Mo cermet cathodes and the Y_2O_3-W matrix pressed cathode, are introduced in this paper. According to the calculation results, Y_2O_3 exh... Two types of secondary emitter materials, the rare earth oxides(RE_2O_3) doped Mo cermet cathodes and the Y_2O_3-W matrix pressed cathode, are introduced in this paper. According to the calculation results, Y_2O_3 exhibits the best secondary emission property among Y_2O_3,La_2O_3,CeO_2 and Lu_2O_3. The rare earth oxides co-doped Mo cathodes in which Y_2O_3 is the main active substance exhibit better secondary emission property than single RE_2O_3 doped Mo cathode. The results obtained by the Monte-Carlo calculation method show that the secondary electron emission property is strongly related to the grain size of the cathode. The decreasing of the grain size reduces the positive charge effect of the rare earth oxide due to the electrons supplement from the metal to the rare earth oxide, whereby the secondary electrons are easier to escape into the vacuum. Y_2O_3 is introduced into Ba-W cathode to fabricate a pressed Y_2O_3-W matrix dispenser cathode. The result indicates that the secondary emission yield of the Ba-W cathode increases from 2.13 to 3.51 by adding Y_2O_3, and the thermionic emission current density(J_0) could reach 4.18 A/cm^2 at 1050 ℃b. 展开更多
关键词 rare earth oxide MOLYBDENUM TUNGSTEN CATHODE
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MoO_3 as a cathode buffer layer for enhancing the efficiency in white organic light-emitting diodes 被引量:1
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作者 张静 张方辉 +2 位作者 丁磊 李艳菲 梁田静 《Optoelectronics Letters》 EI 2012年第4期256-259,共4页
Molybdenum trioxide (MOO3) as a cathode buffer layer is inserted between LiF and A1 to improve the efficiency of white organic light-emitting diodes (OLEDs) in this paper..By changing the MoO3 thickness, a higher ... Molybdenum trioxide (MOO3) as a cathode buffer layer is inserted between LiF and A1 to improve the efficiency of white organic light-emitting diodes (OLEDs) in this paper..By changing the MoO3 thickness, a higher current efficiency of 5.79 cd/A is obtained at a current density of 160 mA/cm2 for the device with a 0.8 nm-thick MoO3 layer as the cathode buffer layer, which is approximately two times greater than that of the device without MoO3. The mechanism for improving the device efficiency is discussed. Moreover, at a voltage of 13 V, the device with a 0.8 nm-thick MoO3 layer achieves a higher luminance of 22370 cd/m2, and the Commission Internationale de I'Eclairage (CIE) color coordinate of the device with 1 nm-thick MoO3 layer is (0.33, 0:34), which shows the best color purity. Simple electron-only devices are tested to confirm the impact of the MoO3 layer on the carrier injection. 展开更多
关键词 Buffer layers Cathodes EFFICIENCY Organic light emitting diodes (OLED)
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