抛光液组分对钽晶圆化学机械抛光的影响

为提高钽晶圆化学机械抛光(CMP)后的表面品质,通过电化学测试和化学机械抛光实验探究了纳米硅溶胶粒径、螯合剂种类(甘氨酸和乙二胺四乙酸二钠)及其质量分数,以及氧化剂(过氧化氢)质量分数对钽晶圆抛光过程的电化学行为、抛光速率及抛光后表面品质的影响。结果表明,采用40%(质量分数)平均粒径为50 nm的纳米硅溶胶为磨料,1.0%(质量分数)乙二胺四乙酸二钠为螯合剂,以及1%(质量分数)H_(2)O_(2)为氧化剂时,钽晶圆的抛光速率为71 nm/min,经CMP后的钽晶圆表面良好,无“橘皮”、划伤等现象。

氢离子注入钽酸锂的翘曲变化及颗粒研究

声表面波(SAW)滤波器急需使用高质量的钽酸锂压电单晶复合薄膜衬底材料来提升性能。离子注入后,晶圆翘曲增大,颗粒增加,键合工艺易产生不规则条纹和键合空洞等缺陷,严重阻碍高质量钽酸锂压电单晶复合薄膜材料的制备。通过X线衍射(XRD)、聚焦离子束透射电镜(FIB-TEM)及颗粒测试仪等设备对注入内部应力、损伤和颗粒变化进行分析表征,解释了翘曲增大和颗粒增多的原因,并提出了相应的解决方法,最后成功制备了翘曲低、颗粒少的注入晶圆。通过键合工艺进一步验证,获得了无条纹和空洞等缺陷的高质量键合晶圆,为钽酸锂压电单晶复合薄膜的高效制备奠定了基础。