类铜钽离子双电子复合速率的研究

类铜钽离子Ta^(44+)(1s^22s^22p^63s^23p^63d^(10)4s^1)经中间双激发态(3d^(10)4ln′l＇,n′=4,5)进行的双电子复合在研制X射线激光过程中占有很重要的地位。重点计算了双电子复合经3d^(10)4 l4 l′和3d^(10)4 l5 l′的复合速率。并给出类铜钽离子Ta^(44+)双电子复合速率的规律。对研究X射线激光设计,受控核聚变等诸多应用领域都提供了很有价值的原子参数。

钛合金表面辉光等离子渗钽的研究

利用双层辉光等离子渗金属技术,在钛合金表面渗钽形成扩散层。测量了渗层的显微硬度及钽元素在渗层中的分布,用XRD观察分析了渗层的相结构。并采用WTM-1型球-盘磨损实验机对渗层的摩擦磨损性能进行了研究,采用CS300P型电化学腐蚀工作站在0.5mol/L的稀硫酸溶液中对渗层的耐蚀性能进行了研究。结果表明:在Ti6Al4V合金基体表面形成10μm厚的渗层,表面显微硬度值达到530HV(载荷为0.49N),渗层主要由正方晶-βTa组成。渗层摩擦学性能得以提高,摩擦系数从原来的0.35降为0.20。钛合金渗钽后表面腐蚀速率明显减慢,耐蚀性能进一步提高。

钛合金双层辉光等离子体渗钽工艺的研究

利用双层辉光等离子渗金属技术,以纯钽作为源极,氩气为工作气体,利用不等电位空心阴极效应,在钛合金表面进行渗钽试验研究。用扫描电子显微镜(SEM)观察分析了钛钽合金渗层的截面形貌。用显微硬度仪测量渗层的显微硬度。结果表明,在Ti6Al4V合金基材表面成功形成钛钽合金扩散层约为10μm厚。表面显微硬度值达到530HV。工艺参数对渗钽层的厚度有较大影响,渗钽最佳工艺参数范围为工件电压550～600V,源极电压850～900V,极间距15～40mm,温度800～900℃。

钽激光等离子体类镍和类钴离子谱线辨认

采用聚焦石英弯晶谱仪测量钽(Ta)激光等离子体发射谱线，得到了一维空间高分辨软X 射线谱，辨认了其类镍和类钴离子谱线。精确测量和准确辨认出类镍和类钴离子4f-3d的共振跃迁线，给出了类镍钽离子簇波长和( =0.576 46 nm是类钴离子4f-3d的共振跃迁线的实验结果，其精确波长值的绝对误差小于5×10^(-5) nm。

强束流Ta离子注入铝的研究

利用从金属蒸汽真空弧离子源引出的强束流Ta离子 ,进行了Ta离子注入铝的研究。研究结果表明 ,在离子注入剂量为 5× 10 17cm- 2 ,平均束流密度为 4 0 μA·cm- 2 ,加速电压为 4 2kV下 ,Ta离子注入能在铝表面形成相应的合金层。借助卢瑟福背散射 (RBS)和X射线衍射 (XRD)分析 ,我们发现表面合金层中形成了Al3Ta相 ,Ta在铝中能产生 10 %以上的原子百分浓度 ,其深度高达 2 0 0nm。

强束流脉冲Ta离子注入H13钢的背散射分析

利用从金属蒸汽真空弧离子源引出的强束流Ta离子,进行Ta离子注入钢的材料改性研究。研究结果表明,在离子注入剂量为5×1017cm-2,平均束流密度为40μA·cm-2,加速电压为42kV下,Ta离子注入能在钢表面形成厚达80nm的合金层。借助卢瑟福背散射(RBS),我们发现表面合金层中Ta的原子百分浓度在15%以上。

溶胶-凝胶法合成LiTaO_3粉体的烧结和介电性能

采用溶胶凝胶法合成LiTaO3粉体,并探讨溶胶-凝胶过程中的工艺条件对LiTaO3陶瓷制备的影响。结果表明:在CA(柠檬酸):Ta=4:1条件下制备的LiTaO3粉体在1150℃烧结后试样的相对密度可达到92.3%;相对介电常数可达到147,介电损耗低为1.63。

镍掺杂对MoO3正极材料电化学性能的影响

采用高温固相合成法制备(MoO3)1-x(NiO)x(x=0.00,0.01,0.02,0.03,0.04)锂离子电池正极材料,其中MoO3溶胶是由钼酸铵通过离子交换法制得.通过X-射线衍射分析(XRD)、扫描电镜测试(SEM)、充放电测试、循环伏安和交流阻抗等测试方法考察了镍掺杂对MoO3正极材料结构、形貌以及电化学性能的影响.结果表明,通过镍掺杂正极材料展示了较好的电化学性能.其中掺杂量为0.03的样品展示了最高的首次放电容量,其首次放电容量为295.9 mAh/g.

NaF-KF-K2TaF7熔盐Ta(V)在钨电极上的电化学还原机理

熔盐电镀钽层具有高熔点、耐烧蚀等高温热学力学性能。为探究钽在电镀过程的反应机理,实验在1073 K以32.52%(质量分数)NaF-67.48%(质量分数)KF(摩尔比2∶3)共晶盐为电解质体系,添加质量分数为2%的氟钽酸钾,以Pt为参比电极,钨棒为对电极,用循环伏安法、计时电位法以及计时电流法研究了钽离子在惰性钨电极上的电化学过程和电化学结晶成核方式。结果显示,Ta(V)电化学还原过程是受扩散控制的不可逆的1步反应转移5个电子过程,电极反应方程式为:Ta(V)+5e-=Ta。根据循环伏安曲线和Randles-Sevcik方程计算出1073 K时Ta(V)的扩散系数为4.126×10^-5 cm^2·s^-1;计时电流曲线表明1073 K时,Ta(V)在钨电极上的电结晶成核方式为瞬时成核。