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钽铝合金薄膜工艺的正交试验 被引量:3
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作者 贾宇明 杨邦朝 李言荣 《功能材料》 EI CAS CSCD 1996年第4期364-366,共3页
钽铝合金薄膜由于具有优良的热稳定性而适合制作薄膜功率型电阻网络。薄膜制备工艺条件对薄膜的电性能有很大的影响。该论文介绍了一种正交试验方法以获取最佳工艺条件。根据正交试验的算法,用FORTRAN语言编写了优化程序,在微... 钽铝合金薄膜由于具有优良的热稳定性而适合制作薄膜功率型电阻网络。薄膜制备工艺条件对薄膜的电性能有很大的影响。该论文介绍了一种正交试验方法以获取最佳工艺条件。根据正交试验的算法,用FORTRAN语言编写了优化程序,在微机上进行了数据处理。用所选取的最佳工艺条件制出了性能优良的钽铝薄膜中功率衰减器,从而证实了正交试验法是行之有效的。 展开更多
关键词 正交试验 钽铝合金 薄膜
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ICP-AES法测定钽铝合金中铁和硅的含量 被引量:3
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作者 杨峥 庞晓辉 《分析试验室》 CAS CSCD 北大核心 2009年第B05期324-326,共3页
介绍了用ICP-AES法测定钽铝合金中微量铁和硅的方法。本文从测量条件的选择谱线选择、基体影响等几个方面进行了试验。精密度和准确度结果表明,本方法快速、准确,可以满足钽铝合金中铁和硅的测定要求。RSD<2%,回收率在99%~100%。
关键词 钽铝合金 硅的测定 ICP-AES
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工艺参数对Ta/Al合金电阻薄膜性能的影响 被引量:2
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作者 贾宇明 杨邦朝 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第5期492-495,共4页
Al原子含量约为50%的Ta/Al合金薄膜具有优良的电阻性能。使用直流共溅射的方法制作这种薄膜,靶极采用了Al面积为45%的Ta/Al复合靶。研究了工艺参数如溅射气压、溅射电压以及热处理条件等因素对该薄膜的性能影响。... Al原子含量约为50%的Ta/Al合金薄膜具有优良的电阻性能。使用直流共溅射的方法制作这种薄膜,靶极采用了Al面积为45%的Ta/Al复合靶。研究了工艺参数如溅射气压、溅射电压以及热处理条件等因素对该薄膜的性能影响。结果表明,这种Ta/Al合金薄膜能用于制作功率稳定的电阻器或电阻网络。 展开更多
关键词 合金薄膜 电阻性能 共溅射 钽铝合金
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Electronic Structure ofTiAl-2M(M=V,Nb,Ta,Cr,Mo,W,Mn) Alloy
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作者 HUANG Zun-Xing LI Jun-Qian +2 位作者 WU Li-Ming ZHANG Yong-Fan ZHOU Li-Xin(Department of Chemistry, Fuzhou University, Fuzhou, 350002)(State Key Laboratory of Structural Chemistry, Fuzhou, Fujian, 350002)TIAN An-Min(Department Of Chemistry, Sichuan University, C 《Chinese Journal of Structural Chemistry》 SCIE CAS CSCD 1998年第1期74-79,共6页
The electronic structures of TiAl-2M(M=V, Nb, Ta, Cr, Mo, W,Mn) alloy have been investigated using EHT band calculation method. Their bandstructures and average prperties have been obtained. The results show that dopi... The electronic structures of TiAl-2M(M=V, Nb, Ta, Cr, Mo, W,Mn) alloy have been investigated using EHT band calculation method. Their bandstructures and average prperties have been obtained. The results show that doping thetransition metal elements can effectively change the band structure and enable the alloysystem to show the stronger metallic feature. The dopants of V, Cr and Mn increase s-orbital component of Ti and Al in bonding orbital, therefore, there is more sphericalelectronic clound and weakly directional bonds in the crystal, which improve the duictil-ity of the alloy, Nb or Ta makes stronger bonding with Ti and Al, which improvestrength and oxidation resistance of the alloy. 展开更多
关键词 electronic structure TiAl alloy band structure EHT method
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