钛钽镁酸钡的合成及其微波介电性

以Ba(Mg1/3Ta2/3)O3为基,通过不同量的Ti取代实验,探讨Ti取代对Ba(Mgx/12Ta2x/12Ti12-x/12)O3瓷(1/3＜x＜4=(简称BMTT)介电性能和结构的影响.结果表明:Ti4+与Mg2+,Ta5+离子对构成类质同相代换,形成Ba(Mgx/12Ta2x/12Ti12-3x/12)O3(1/3≤x≤4)系列新固溶体,与Ba(Mg1/3T2/3)O3具有相同的晶体结构.当体系组成蜝a(Mg1/6Ta1/3Ti1/2)O3时,在1480℃下烧结保温3h所制备的材料微波介电性能为:εr=89,Q×f=12 700GHz(6GHz下),τf=1.9×10-4/℃.

钽镁酸钡缓冲层对锆钛酸铅铁电薄膜性能的影响

采用溶胶–凝胶工艺在Pt/Ti/Si O2/Si基片上,通过引入钽镁酸钡[Ba(Mg1/3Ta2/3)O3,BMT]缓冲层,制备了锆钛酸铅[Pb(Zr0.52Ti0.48)O3,PZT]铁电薄膜。研究了BMT缓冲层对PZT铁电薄膜结晶和性能的影响。结果表明:引入BMT缓冲层利于PZT薄膜的生长;PZT薄膜具有钙钛矿结构,且没有裂纹、结晶良好、致密性好;缓冲层的厚度对PZT铁电薄膜的微观结构和铁电性能有重要影响。随BMT缓冲层厚度增加,PZT晶粒增大,介电损耗tanδ逐渐减少,介电常数εr和剩余极化强度Pr先增大后减少,矫顽场Ec先减少后增大。当BMT缓冲层厚约为10 nm时,PZT薄膜具有最优的铁电性能:εr=1 850,Pr=20.2μC/cm2,Ec=43.9 k V/mm。这与BMT与PZT具有相似的晶格常数、较小的晶格失配度和相近的禁带宽度有关。

B位离子共沉-煅烧法制备Ba(Mg_(1/3)Ta_(2/3))O_3微波陶瓷材料

采用钽镁共沉淀法制备ＭｇＴａ２Ｏ６粉体，然后与ＢａＣＯ３粉体混合制备Ｂａ（Ｍｇ１／３Ｔａ２／３）Ｏ３（简称ＢＭＴ）微波陶瓷材料．成功地解决了ＴａＣｌ５溶解问题．对钽镁共沉条件和粉体热分解工艺与粉体的平均粒径和钽镁比例关系；ＢＭＴ陶瓷制备工艺与材料的微观结构和微波性能关系进行了研究．制备的ＭｇＴａ２Ｏ６晶相粉体平均粒径为０．３μｍ，最大与最小粒径比为５．制备的ＢＭＴ陶瓷几乎不含ＢａＴａ２Ｏ６等杂相，无载Ｑ值可达５４００（１０ＧＨｚ下）

共沉淀法制备Ba(Mg_(1/3)Ta_(2/3))O_3陶瓷的研究

对用化学共沉淀法制备Ｂａ （Ｍｇ１／３Ｔａ２／３） Ｏ３ （ＢＭＴ） 陶瓷及其烧结特性进行了研究。结果表明其烧结温度比用传统方法降低了１８０～２５０℃。在１ ４００℃时获得了致密的陶瓷，其体积密度达理论密度的９６％ ，晶粒排列紧密，介电特性：Ｑ×ｆ＝ ６５ ０００ ＧＨｚ，εｒ＝ ２３～２５，在ｆ＝ １０ＧＨｚ，ｔ＝ － ２０～＋ ６０℃时τｆ ＝ （０～３）×１０－ ６℃－ １。

Ba(1-3x/2)Lax(Mg(1/3)Ta(2/3))O3陶瓷的微波介电性能(英文)

采用固相合成法制备了Ba1–3x/2Lax(Mg1/3Ta2/3)O3陶瓷,研究了La掺杂对钽镁酸钡的结构和微波介电性能的影响。结果表明:A位取代能改进其烧结性能。在x≤0.02时,烧结样品为单相的钙钛矿结构,B位离子1:2有序;当x>0.02时出现第二相Ba0.5TaO3。B位离子有序度随着x的增大先增加后减小,在x=0.04时出现最大值。x≤0.02时介电常数变化较小,而后其值逐渐增大。品质因数与谐振频率的乘积(Q×f)值随着x的增大先增大后减小,在x=0.02时取得最大值;谐振频率温度系数(τf)值随着x增大而增大。

陶瓷/微晶玻璃复合材料耐磨性的研究

通过将玻璃与BMT(Ba(Mg1/3Ta2/3)O3)复合,烧结后进行热处理,合成陶瓷/微晶玻璃复合材料,通过比较材料切削时间的长短,研究不同热处理制度对材料耐磨性的影响。结果表明:不同的热处理制度确实能够影响材料的耐磨性。样品的XRD图显示材料的耐磨性变化是由于材料中的相组成发生了变化,耐磨材料中有新的结晶相产生。

湿化学法合成Ba(Mg（1-x）/3ZrxTa2（1-x）/3)O3纳米粉体及半透明陶瓷的制备

以Ba(OH)2·8H2O、Mg(NO3)2·6H2O、Zr OCl2·8H2O和高纯Ta Cl5为原料,NH3·H2O和C8H6O4为沉淀剂,采用湿化学法将Ba(C8H4O4)、Mg(OH)2、Zr O(OH)2、Ta(OH)5以一定配比混合球磨后经900℃焙烧后制备了Ba(Mg(1-x)/3ZrxTa2(1-x)/3)O3(BMZT)粉体。用X射线衍射仪、热分析仪、扫描电镜和透射电镜等测试手段对BMZT前驱体和煅烧后的粉体进行表征。结果表明,前驱体经过900℃煅烧3 h可制备出近球形、颗粒尺寸约为0.1μm的陶瓷粉体。当Zr4+以10mol%掺杂时,形成的Ba(Mg0.3Zr0.1Ta0.6)O3粉体呈现出立方晶体结构。以该BMZT粉体为原料,用氧气烧结技术于1550℃制备出BMZT半透明陶瓷。所制备的Ba(Mg0.3Zr0.1Ta0.6)O3陶瓷样品在可见光区直线透过率达到50%左右。