维持性血透患者血清NGAL水平与体内铁存储的相关性研究

目的:探讨在维持性血液透析患者,其血清NGAL(中性粒细胞明胶酶相关载脂蛋白)水平与体内铁存储的关系。方法:从2010年10月开始,我们纳入我院血液透析患者人数150例,同时纳入50例健康人为对照。收集患者及健康对照人群的人口学资料、相关的临床和生化学资料,透析前后NGAL及透析前CRP、转铁蛋白饱和度、铁蛋白、血清铁、转铁蛋白等。做透析前血清NGAL与CRP、转铁蛋白饱和度、铁蛋白、血清铁、转铁蛋白相关性分析。评估NGAL水平在判断体内铁存储的价值。结果:(1)血液透析患者其血清NGAL透析前水平为(445.45±50.34)ng/ml,透析后为(369±50.34)ng/ml,差异有统计学意义(P<0.05)。(2)血液透析患者其血清NGAL水平与CRP、spKt/V、TSAT等指标均有正相关关系(P<0.05),但与铁蛋白、血清铁、转铁蛋白无明显线性关系(P>0.05)。在多元线性回归模型中,NGAL水平与CRP、spKt/V、TSAT有相关关系(P<0.05)。(3)ROC曲线表明,NGAL水平较铁蛋白更好的反映体内铁存储情况,但差异无统计学意义(P>0.05)。结论:在血液透析患者,血清NGAL与spKt/V、CRP、TSAT有不同程度的正相关。血清NGAL能较好的反映体内铁存储情况。

FRAM铁电存储器的应用

介绍了铁电存储器的特点,详细阐述了在51系统中应用铁电存储器的原理及接口技术,给出了应用实例.

铁电存储器在柴油机测控系统中的应用

在研制柴油机测控系统时,经常需要对一些数据进行存储,以利于系统对其进行进一步处理。存储器的形式有很多,将铁电存储器与其它存储器进行了对比,论述了铁电存储器的特点与优点。并以在国内日益得到普及的Ramtron公司串行铁电存储器FM24C04为例,探讨了它在柴油机测控系统中的应用及在Keil仿真软件下的C语言编程。

集成铁电存储器──新型快速、抗辐照、非挥发性存储器件

本文介绍了铁电存储器的原理，对非挥发性铁电存储的研究和开发情况作了综述。并就制约着铁电集成器件真正商业化的若干铁电薄膜材料物理方面关键问题作了分析。首先提出了在铁电集成器件工艺中还存在着综合优化问题。最后，对铁电存储器的未来作了预测。

16kbit非易失性铁电存储器芯片FM25C160原理及其应用

FM25C160是美国Ramtron公司生产的非易失性铁电介质读写存储器。它具有高速读写,超低功耗和无限次写入等特性。文中介绍了FM25C160的性能特点、管脚定义、内部结构和工作原理。给出了AT89C51单片机与FM25C160的接口电路图和对FM25C160的写操作流程图。

固定无偿献血者血清铁和血清铁蛋白的变化研究

目的了解固定献血者定期献血对其体内血清铁、血清铁蛋白等水平影响。方法从2019年1月~2019年6月在本中心参加献血的固定献血者当中随机抽取240人(份)的血样[(4~5 mL/人(份)),EDTA-2K抗凝管]作为研究组,同时随机抽取200名正常值范围内的体检人员作为对照组;分别采用Ferene法测定2组受检者的血清铁(SI),化学发光测定血清铁蛋白(SF),以及鞘液电阻法测定血常规等各项指标。结果研究组与对照组受检者的血红蛋白、红细胞计数、血细胞比容等血常规指标均处于正常值范围;SI(mol/L)为17.13±4.36 vs 17.82±5.78(P>0.05),SF(ng/mL)为98.34±52.74 vs 147.52±91.52(P<0.05)。结论固定无偿献血在一定程度上会降低献血者的血清铁和血清铁蛋白水平;因此在统筹献血活动时需密切随访以上指标,保障固定献血者安全。

可替代SRAM的1兆位铁电存储器

Ramtron国际公司宣布推出1兆位的铁电存储器产品——FM201．08该存储器的工作电压为3Y，采用32引脚TSOP封装，FM20L08是Ramtron目前生产的容量最大的铁电俘储器，可以对其进行尢限次的读写操作。该型号是专门设计用束替换标准异步静态随机存储器的（SRAM）。同时．这个型号还特别适用电压多样或者电压会突然丢失的存储数掂系统，如机顶盒、汽车远程信息处理及工业应用等系统。

铋层状结构铁电体的研究进展

铋层状结构铁电体(BLSF)作为一种类钙钛矿无铅铁电压电材料,由于其在高温、高频以及非易失性铁电随机存储器等领域具有突出的综合优势,因而受到广泛关注。本文以BLSF的综合特征为基础,对其结构设计和微结构研究中存在的问题进行了详细探讨,并重点总结了近二十年来其在性能优化和薄膜制备中取得的进展。此外,本文还对一些以铁电为背景的新的研究方向做了介绍。最后提出了BLSF在未来发展中值得关注的几个重要问题。

铁酸铋薄膜在小于矫顽电压下的阻变机制

为了研究利用脉冲激光沉积法制备于SrTiO_3衬底上的Au/BiFeO_3/SrRuO_3结构的阻变效应,实验通过测量样品的I-V特性曲线来表征样品的阻态变化.由于BiFeO_3与Au、SrRuO_3功函数的不同在Au/BiFeO_3、BiFeO_3/SrRuO_3两个接触界面形成稳定的肖特基接触,通过改变外部电压控制陷阱能级填充的程度可以改变肖特基势垒高度,从而在施加电压小于矫顽电压时可以形成稳定的高低阻变化,表现出最大可达103高低阻电流比的I-V特性曲线.对I-V特性曲线进行不同导电机制的拟合表明:小于矫顽电压下空间电荷限制电流起到了主导作用,陷阱的填充与脱陷是主要的阻变机制.

16kbit非易失铁电RAM芯片FM25C160及其应用

FM25C160是美国Ramtron公司生产的非易失性铁电介质读写存储器FRAM。文中介绍了该芯片的性能特点、管脚定义、内部结构和工作原理。给出了FM25C160和AT89C52单片机所构成的具有掉电保护和写保护功能的应用系统 ,同时给出了对FM25C160芯片进行读写操作的应用程序。

Ramtron推出业界首个4Mb非易失性FRAM存储器

世界项尖的非易失性铁电存储器（FRAM）和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron Intemadonal Corporation宣布推出半导体业界首个4Mb FRAM存储器，这是目前最高容量的FRAM产品，其容量是原有最大FRAM存储器容量的4倍。FM22L16是采用44脚薄型小尺寸塑封（TSOP）的3V、4Mb并行非易失性FRAM，具有高存取速度、几乎无限的读／写次数和低功耗等特点。FM22L16与异步静态RAM（SRAM）在管脚上兼容，适用于工业控制系统如机器人、网络和数据存储应用、多功能打印机、自动导航系统，以及许多以SRAM为基础的系统设计。FM22L16以德州仪器先进的130nmCMOS制造工艺为基础，在标准CMOS逻辑工艺内嵌入非易失性FRAM模块时仅增加了两个掩模步骤。

Ramtron举办铁电行业技术研讨会

铁电行业厂商Ramtron和其亚洲区总代理北天星将于4月份联手在国内5个城市（北京4／4，上海4／10，深圳4／12，西安4／24，成都4／26）举办非易失性铁电存储器（FRAM）和MCU全国巡回研讨会。此次研讨会将深入讨论非易失性铁电存储器（FRAM）和MCU的产品和技术，并详细介绍和探讨其在中国各领域，包括军工，航天，数据采集，计量，汽车电子，汽车能源，安全系统，工业控制，通讯，金融电子，医疗机械等行业的应用。

金属所在铁电异质界面发现极化巨大增强现象

铁电材料由于具有铁电、介电、压电、热释电等丰富的物理性能，被广泛应用于非易失性铁电存储器、电容器、制动器、热释电探测器等电子器件中。为满足电子器件小型化的发展需求，铁电体需要以低维薄膜的形式集成到电子器件中。

基于USB接口的智能温湿度测记仪

该仪器选用温湿度一体数字量输出传感器SHT11对环境温湿度进行随时、定时、实时地检测,通过点阵图形式液晶显示模块HGO12864同屏显示温湿度值、露点值以及日期和时间,温湿度值以及相对应的时间被保存在非易失性铁电存储器FM31256中,确保仪器掉电后数据不丢失。通过双模式USB接口将实时数据或存储数据上传给PC机,利用自编的应用软件绘制温湿度历史变化曲线或实时曲线,计算任意测试时间段的温湿度最大值、最小值、平均值、方差;还可进一步对数据进行统计分析,报表输出,同时可对仪器的基本采集参数进行设置。该仪器采用可充电锂电供电,功耗低、精度高、即插即用、通用性强。

太阳能传感器技术进展(三) 太阳能传感器应用

本文综述了太阳能传感器的许多重要应用和测试控制技术以及特种太阳能传感器,包括大面积PV-EC窗、液晶光开关系统中的光驱动液晶元件、两级PV聚能器,有机聚合物太阳能传感器、PV欣电固定存储器、半导体-液体结太阳能传感器、寿命和表面复合测试电路、太阳能传感器阵列试验方法和加速腐蚀试验方法等。

Development of Ferroelectric RAM （FRAM） for Mass Production

we have developed ferroelectric capacitor fabrication technique to realize low-voltage and high-density ferroelectric random access memory （FRAM）. High temperature deposited IrOxtop electrode reveals high crystalline quality which drastically reduces the degradation of ferroelectric film by preventing hydrogen diffusion into ferroelectric film. This improvement enables us to commercialize highly-reliable 1T 1C FRAM with memory density of 4 Mb or larger.

Ramtron向全球发布其高速8051内核MCU VRS51L2070

非易失性铁电存储器（FRAM）和集成半导体产品供应商及开发商Ramtron international向全球发布其高速的8051内核MCU-VRS51L2070。高达40MIPS的速度和诸如DSP计算等丰富功能使得8位MCU在功能和速度上都能赶超16位MCU。

FRAM在医疗领域和智能电表中的应用及发展

1 FRAM的产品定位和优点 FRAM（铁电随机存取存储器）是一种使用铁电膜来保存数据的非易失性铁电存储器.这种存储器具有非易失性和随机存取的特性,非易失性意味着即便关闭芯片的电源,存放在存储器里的数据也能保存下来.

Ramtron瞄准亚洲市场发展

非易失性铁电存储器（FRAM）供应商Ramtron近日发布其亚太区的半导体业务扩展战略，以及持续发展的最新部署。同时，Ramtron还宣布推出了半导体业界首款4Mb非易失性FRAM存储器，成为了推动该公司在区内继续增长的主要元素。