铁掺杂HTiNbO_5纳米片及其催化环氧苯乙烷醇解的性能

通过先将层状HTiNbO5用四丁基氢氧化铵层离成单层纳米片，然后与铁溶胶重组，最后在不同温度（200～500℃）下焙烧，得到了一系列铁掺杂的HTiNbO5纳米片。研究结果表明，铁溶胶掺杂有利于提高催化剂的比表面积和酸性，所得催化剂在环氧苯乙烷的醇解反应中表现出很好的催化效果。其中，水解时间为1h的铁溶胶与HTiNbO5纳米片重组且在400℃下焙烧后所得催化剂的催化效果最好，优于未掺杂和Fe^2＋直接絮凝的HTiNbO5纳米片。

La掺杂对Sr_2Bi_4Ti_5O_(18)铁电陶瓷性能的影响

利用传统的固相烧结工艺制备了Sr2LaxBi4-xTi5O18(x=0.00、0.05、0.1、0.25、0.5、0.75、1.00)陶瓷样品。用X射线衍射对其微结构进行了分析,并测量了其铁电、介电性能。X射线衍射结果表明La掺杂对Sr2Bi4Ti5O18的晶体结构几乎没有影响。样品的铁电、介电结果表明,随着La掺杂量的增加,样品的剩余极化(2Pr)和矫顽场(Ec)逐渐减小,这是由于离子半径较大的La取代类钙钛矿层A位Bi离子,使得样品晶格畸变变小,从而导致2Pr降低,晶格畸变的减小也使得沿着外电场方向氧八面体中的阳离子更易运动,导致Ec减小。样品的相变温度Tc随着La含量的增加而降低,这也与样品晶格畸变有关。

Nd掺杂对Bi_5FeTi_3O_(15)陶瓷结构和铁电性能的影响

用溶胶-凝胶工艺分别制备了Bi5FeTi3O15和NdBi4FeTi3O15铁电陶瓷。X射线衍射结果显示,Nd3+掺杂后Bi5FeTi3O15陶瓷衍射峰均向高角度方向有微小移动,晶格常数变小,晶体结构由正交结构转变为四方结构。铁电测试表明,Nd3+掺杂后NdBi4FeTi3O15陶瓷的剩余极化值比纯Bi5FeTi3O15陶瓷的大;分析发现,用Nd3+替代部分Bi3+后,降低了NdBi4FeTi3O15陶瓷的漏电流,提高了其剩余极化强度。

Sr_2Bi_(4-x)La_xTi_5O_(18)铁电陶瓷性能的研究

采用固相烧结工艺制备了Sr_2Bi_4-xLaxTi_5O_18(x=0.00,0.10,0.25,0.50,0.75,1.00)陶瓷样品.用X射线衍射仪对其微结构进行了分析,并测量了其铁电、介电性能.结果表明,随着La含量的增加,样品的剩余极化P_r和矫顽场E_c逐渐减小,这是由于La掺杂使得样品晶格畸变变小,从而导致剩余极化的降低.相变温度T_c随着La含量的增加而降低,这也与样品晶格畸变有关.

镨掺杂PZT95/5陶瓷的微结构转变与性能优化

为探究镨掺杂对PZT95/5陶瓷微结构和性能的影响,以一氧化铅、氧化锆、二氧化钛和硝酸镨为原料,采用固相法制备镨离子掺杂PZT95/5陶瓷,分别利用X线衍射、扫描电子显微镜、精密阻抗分析仪和铁电分析仪对样品的微观结构、表面形貌、介电性能和铁电性能进行表征.结果表明:镨掺杂有利于PZT95/5陶瓷铁电三方相到反铁电四方相的微结构转变;掺杂镨可以使PZT95/5陶瓷样品的晶粒发育保持良好,晶粒分布更均匀,结构致密度也有所提高,但镨掺杂过量会抑制晶粒发育;随着镨掺杂量的增加,样品的相对介电常数呈现先增大后减小的趋势,在掺杂物质的量分数为3%时,相对介电常数最大,达到225.9,此时介电损耗为0.011 36;样品的剩余极化强度和矫顽场与介电常数呈现相同的变化趋势,镨掺杂物质的量分数为3%时,剩余极化强度最大,达到11.078 5μC/cm2,矫顽场最大为27.46 k V/cm.

Mg_(0.6)Cu_(0.1)Zn_(0.3)Fe_(2+x)O_(4+3/2x)铁氧体的结构和磁性能

分别采用过铁、正铁和缺铁配方通过固相反应法制备MgCuZn铁氧体,分析了Fe3+对铁氧体的磁性能和烧结特性的影响。微量缺铁有助于促进烧结并改善磁性能,过铁情况下,饱和磁化强度随x值增大迅速下降,在x=0.06处下降至38.84 A·m2/kg,相应的磁导率下降,截止频率向高频移动。并研究了微量V2O5掺杂对改善磁性能的作用,在掺杂量为0.4wt%处获得虚部损耗的有效提升(截止频率处提升近30%)。在此基础上探讨了MgCuZn铁氧体用作抗EMI磁珠的可行性,其低廉的价格相较于传统的Ni Zn/Ni Cu Zn铁氧体具有明显的优势。

Dy掺杂对Sr_2Bi_4Ti_5O_(18)铁电陶瓷性能的影响

用传统固相烧结法制备了Sr2Bi4-xDyxTi5O18(SBDT-x,x=0—0.20)陶瓷样品.x射线衍射分析表明,微量的Dy掺杂没有影响Sr2Bi4Ti5O18(SBTi)原有的层状钙钛矿结构.通过研究样品的介电特性,发现Dy掺杂减小了材料的损耗因子,降低了样品铁电-顺电相转变的居里温度.铁电性能测量结果表明,随Dy含量的增加,SBDT-x系列样品的剩余极化先增大,后减小.当Dy掺杂量为0.01时,剩余极化达到最大值,约为20.1μC·cm-2.掺杂引起剩余极化的变化,与材料中缺陷浓度、内应力以及晶格畸变程度等因素有关,是多种作用机理相互竞争的结果.(Bi2O2)2+层通常被看作是绝缘层和空间电荷库,对材料的铁电性能起关键作用.掺杂离子进入(Bi2O2)2+层会导致铁电性能变差.