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应用小磁环加装大磁环抑制GIS中VFTO的试验研究 被引量:3
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作者 高凡夫 谭向宇 +3 位作者 梁策 张敬平 王建杰 梁志瑞 《高压电器》 CAS CSCD 北大核心 2019年第6期56-61,69,共7页
特快速暂态过电压(very fast transient overvoltage,VFTO)严重威胁到气体绝缘开关设备(gas insulated substation,GIS)和邻近设备的安全运行,在总结前人研究的基础上,文中提出应用小磁环加装大磁环抑制GIS中的VFTO。依托VFTO发生器和真... 特快速暂态过电压(very fast transient overvoltage,VFTO)严重威胁到气体绝缘开关设备(gas insulated substation,GIS)和邻近设备的安全运行,在总结前人研究的基础上,文中提出应用小磁环加装大磁环抑制GIS中的VFTO。依托VFTO发生器和真实500 kV GIS组成的试验平台,分别在充电电压为460、500、540、560 kV情况下开展无磁环、40、80 cm小磁环串和80 cm小磁环串加装10 cm大磁环串的一系列对比试验,其中小磁环串是由铁氧体磁性材料构成,大磁环是由纳米晶软磁材料制成。试验数据表明小磁环加装大磁环在所有试验中取得了较好的抑制效果,同时也指出磁环串的长度与抑制作用存在一定的关系。试验结果证实了应用小磁环加装大磁环可增强整体设备对VFTO的抑制效果。 展开更多
关键词 气体绝缘开关设备 特快速暂态过电压 抑制 铁氧体小磁环 纳米晶大磁环 VFTO发生器 充电电压
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