钡铁氧体薄膜的c轴取向生长

首次使用非晶Ｂａ－Ｆｅ－Ｏ衬底层来控制钡铁氧体（ＢａＭ）薄膜的取向生长。这种非晶层决定了六角Ｍ相的结晶并改善了其晶化度。应用这种非晶衬底层，制备了ｃ轴垂直于膜表平面的ＢａＭ薄膜。其（００８）峰的摇摆曲线的半高宽Δθ５０仅为２．

钡铁氧体薄膜自偏置毫米波环行器设计与制备(英文)

基于厚度为10μm的钡铁氧体薄膜设计,制备了共面波导结构的毫米波薄膜环行器.这种薄膜环行器不需要外加磁体,在34 GHz和37.6 GHz显示出环行特性,其非互易效应大于15 dB.结果表明,采用共面波导结构可以实现薄膜环行器.这种薄膜环行器具有和单片微波集成电路集成的潜在应用.

电感器用Ni-Cu-Zn铁氧体薄膜的设计与性能研究

采用丝网印刷技术制备Ni-Cu-Zn铁氧体电感器薄膜,并对其性能进行了表征.XRD分析表明,铁氧体薄膜具有相同的晶格结构.研究结果表明,在引入了铁氧体薄膜后,电感器的电感量相对于空心电感器有30%左右的提高,品质因数依频率不同有所改善,共振频率有所降低.经400℃后处理的薄膜电感器在低频时性能最好,50 MHz时电感量提高了27%,品质因数提高了39%.

交替溅射法制备BaM铁氧体薄膜的特性研究

以双靶射频溅射和交替沉积的方法制备了不同化学组成的BaM铁氧体薄膜。对所沉积的薄膜进行了两种不同方式的热处理。通过热处理后铁氧体薄膜的X射线衍射(XRD),逆转换电子穆斯堡尔谱(CEMS)及原子力显微镜(AFM)等微观结构的分析和宏观磁性的测试,结果表明两步骤退火过程对于垂直取向结构的形成是有利的。

碳化硅表面钡铁氧体薄膜制备与吸波性能

采用柠檬酸盐溶胶-凝胶法在碳化硅表面形成钡铁氧体薄膜。XRD 表明生成的铁氧体为六角磁铅型晶体BaFe_(12)O_(19)。测定了材料在0.1～6.0 GHz 内的介电常数与磁导率。与单纯钡铁氧体比较,碳化硅表面沉积钡铁氧体薄层后复合相吸波频段宽化,吸波能力增强。

Co^(2+)含量对钴铁氧体薄膜结构及磁性的影响

采用溶胶-凝胶法在玻璃衬底上制备了钴铁氧体CoxFe3―xO4(x=0.2~0.8)薄膜。分别用振动样品磁强计及X射线衍射仪对样品的磁性和结构进行了测量与分析。结果表明,随Co2+含量增加,样品中的尖晶石相衍射峰逐渐增强,至x=0.8时为单一的尖晶石结构。高Co2+含量(x>0.7)样品的饱和磁化强度和矫顽力随退火温度的升高呈上升趋势,630℃退火Co0.8Fe2.2O4薄膜矫顽力达156kA/m。Co2+含量的增加还可使晶粒细化。当Co2+含量x=0.8时,可同时获得好的磁性能及小的晶粒。

磁控溅射法制备铁氧体薄膜的界面结合强度研究

利用磁控溅射法在单硅晶基底和玻璃基底上沉积铁氧体薄膜,采用AFM观察薄膜的微观形貌,采用划痕法测试薄膜的界面结合强度,测试结果表明:由于两种不同材质上沉积的薄膜粗糙度缘故,硅晶/铁氧体薄膜的临界载荷为19.7N,其划痕形貌为裂纹状扩展,玻璃/铁氧体薄膜的临界载荷为5.3N,其划痕形貌为剥落状。

退火对低温射频磁控溅射Ba铁氧体薄膜结构及磁特性的影响

用ＲＦ磁控溅射法在纯Ａｒ气中，在硅基片上不加热，制备了Ｂａ铁氧体薄膜，研究了退火温度对薄膜ｃ轴垂直取向、结构及磁特性的影响，结果表明薄膜在７００℃氧气中退火可获得良好ｃ轴垂直膜面择优取向，该薄膜的饱和磁化强度和矫顽力分别是Ｍｓ＝２９６ｋＡ／ｍ，Ｈｃ＝３１０．４ｈＡ／ｍ。退火温度过低或过高，都不利于形成Ｃ轴垂直膜面的择优取向。

温度及锌含量对钴锌铁氧体薄膜的影响

采用柠檬酸溶胶-凝胶法制备了锌含量x=0．1—0．4的钻锌铁氧体薄膜．X射线衍射结果表明，所有样品均为单一的尖晶石结构，样品的晶化温度较低，晶粒尺寸在12～36nm之间．样品的晶格常数随锌含量的不同有少许变化．磁测量显示，样品的比饱和磁化强度随锌含量的不同变化显著，这是由Zn2＋在尖晶石结构中的占位引起的．变温磁测量显示，样品的居里温度随锌含量的增加而降低．

c轴取向的M-型SLFCO铁氧体薄膜的制备及磁性能

采用化学溶液沉积法在Al2O3(001)单晶衬底上制备SLFCO铁氧体薄膜,XRD谱表明样品具有c轴取向的单相结构,空间群为P63/mmc;AFM结果表明样品颗粒呈柱状,平均颗粒尺寸在50～100nm之间。SLFCO铁氧体薄膜具有高的室温饱和磁化强度(130A/m),矫顽力(549.24kA/m)和大的矩形比(0.9),这些性能表明SLFCO铁氧体薄膜是一种非常有潜在应用价值的高密度磁记录材料。

NiFe_2O_4铁氧体薄膜溅射产额的蒙特卡罗模拟

通过蒙特卡罗方法,运用SRIM程序,模拟了Ar+轰击NiFe2O4铁氧体靶材的过程,研究了不同入射能量及角度Ar+轰击NiFe2O4靶材引起的溅射产额。结果表明:离子垂直入射时NiFe2O4中各元素的溅射产额和出射原子能量都随入射离子能量的增大而增大;各元素产额的比率在低能离子入射时,变化较大,但能在较大的入射离子能量范围内保持相对稳定的值;离子斜入射时,随着入射离子角度增加,各元素的溅射产额先增大,后减小,并在77°左右达到最大值;离子入射角度变化时,并不严重影响各元素之间产额的比率,且组分比率能在较大的离子入射角度范围内保持相对稳定的值。

铁氧体薄膜器件的光刻多次涂胶工艺

提出了铁氧体薄膜器件光刻多次涂胶新工艺,研究了涂覆次数对光刻胶的表面粗糙度、均匀性和厚度的影响。同时结合培烘试验,对一种实际电路基片进行了验证。试验结果表明:随着光刻胶涂覆次数的增加,光刻胶厚度逐渐增大,增加幅度逐渐减小,涂覆光刻胶的表面粗糙度有明显改善,均匀性也逐渐提高。当烘焙温度为50℃、烘焙时间为25min,光刻胶与基底的附着力、感光性和耐腐蚀性均能满足铁氧体器件薄膜电路制作工艺的要求。利用多次涂胶法可有效去除电路手工修补工艺,从而提高铁氧体薄膜器件的电路图形加工质量及效率。

微波频段用高磁导率铁氧体薄膜研究进展

主要介绍了微波频段用的高磁导率铁氧体薄膜近年来的研究进展。尖晶石铁氧体薄膜的重点集中在Ni-Zn和Li系材料上,介绍了旋转喷涂法以及Co2+掺杂对薄膜微波磁性的影响,并分析了微波频段高磁导率机理;对于六角晶系铁氧体薄膜,重点叙述了衬底层对BaM六角结构形成的影响以及BaCoxTixFe12-2xO19铁氧体薄膜的共振特性,也对(Zn1-xCox)2-W铁氧体薄膜作了适当介绍。最后,讨论了目前存在的问题和发展前景。

退火温度对NZFO铁氧体薄膜磁性能的影响(英文)

采用化学溶液沉积法在Si(001)衬底上制备Ni0.7Zn0.3Fe2O4铁氧体薄膜,XRD谱表明样品具有单相的尖晶石结构;扫描电子显微镜结果表明样品平均颗粒尺寸随着退火温度的上升从10 nm增加到32 nm。NZFO铁氧体薄膜磁性能与退火温度有强烈的依赖关系,薄膜的矫顽力从退火温度为500℃时的25 Oe增加到900℃时的80 Oe,饱和磁化强度也由146emu/cm3增加到283 emu/cm3,这对于现代电子器件微型化有着非常重要的意义。

用旋转喷镀法制备Ni-Zn-Co铁氧体薄膜

用旋转喷镀法制备Ni–Zn–Co铁氧体薄膜。通过FeCl2+NiCl2+ZnCl2+CoCl2组成的还原液和CH3COONH4+NH3H2O+NaNO2组成的氧化液不断地向转盘上的玻璃基片喷镀,在90℃下反应制备了厚度1–2μm的Ni–Zn–Co铁氧体薄膜。利用X射线衍射(XRD)确定样品的物相,用扫描电子显微镜(SEM)观察分析了薄膜的形貌,用振动样品磁强计(VSM)和矢量网络分析仪测量了薄膜的磁性能。

退火温度对NiZn铁氧体薄膜性能的影响

采用射频磁控溅射法在Si（100）基片上制备了NiZn铁氧体薄膜，研究了退火温度对薄膜性能的影响。采用XRD分析仪分析了薄膜的相结构，原予力显微镜分析了薄膜的表面形貌，振动样品磁强计测量了薄膜的磁性能，结果表明，随着退火温度的升高，薄膜的结晶状态越好，晶粒尺寸越大，饱和磁感应强度越高，面内矫顽力越小。

射频磁控溅射法低温沉积MnZn铁氧体薄膜

采用磁控溅射法在Si(100)、Si(111)和玻璃基片上原位沉积MnZn铁氧体薄膜,用X线衍射(XRD)仪、场发射扫描电子显微镜(FESEM)表征薄膜的物相结构与微观形貌,用振动样品磁强计(VSM)测试薄膜的磁性能。结果表明,在Si(100)基片上原位沉积的MnZn铁氧体薄膜,在较低的基片加热温度(Ts=50℃)下即可晶化;Ts升高,MnZn铁氧体薄膜的XRD衍射峰强度逐渐增强;当Ts≤150℃时,MnZn铁氧体薄膜X线衍射主峰为(311),但当Ts≥200℃后,MnZn铁氧体薄膜沿{111}晶面生长。在Si(111)和玻璃基片上沉积的MnZn铁氧体薄膜,其XRD衍射主峰分别为(111)和(311)。

NiZn铁氧体薄膜制备技术的研究进展

综述了近10年来国内外NiZn铁氧体薄膜制备技术的研究进展,并对其发展进行了展望。其中,溅射、喷雾热分解、脉冲激光沉积等技术得到了有效应用;而对一些新的工艺方法,如溶胶-凝胶法、超声波增强化学镀技术等也进行了深入的研究。

氧化液pH值对低温沉积Ni-Zn铁氧体薄膜的结构和磁性能的影响

用FeCl2＋NiCl2＋ZnCl2组成的还原液和CH3COONH4＋NH3H2O＋NaNO2组成的氧化液不断地向转盘上的玻璃基片喷镀,在90℃下反应制备了厚度1-2μm的Ni-Zn铁氧体薄膜。X射线衍射（XRD）显示制备的薄膜具有尖晶石结构铁氧体的特征衍射峰。当氧化液的pH值从8.0增大到8.8时,薄膜的沉积速率和表面粗糙度都相应提高。氧化液pH值等于8.8时薄膜组成为Ni^2＋0.43Zn^2＋0.09Fe^2＋0.48Fe^3＋2O4。制备的薄膜显示了210.3kA/m的高饱和磁化强度和1.218kA/m的低矫顽力。这种优良的软磁薄膜可应用于射频感应器和微波频段的电磁干扰抑制器。