铁电高分子共聚物薄膜样品真空制膜仪的设计与制作

设计与制作了铁电高分子共聚物薄膜样品真空制膜仪，该制膜仪操作简单，制膜方便，制备出的薄膜样品厚度均匀，膜厚可控制在30－40μm，可替代昂贵的机械静热压式或旋转悬浮式制膜仪。

朗缪尔铁电聚合物薄膜的电学特性:高热释电系数和低介电常数(英文)

研究了利用朗缪尔技术(LB)生长在柔性基底上的聚偏氟乙烯和三氟乙烯的共聚物(P(VDF-TrFE))薄膜的电学性质.通过测量相对介电常数和热释电系数,发现薄膜在室温1kHz时的优值因子达到1.4 Pa-1/2.这表明利用LB技术生长的P(VDF-TrFE)薄膜是热释电探测器的优良候选材料.优值因子的提高可能来源于LB薄膜的良好结晶性和分子链在平面内的高度有序性.