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基本FFET的试制和性能研究
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作者 于军 周文利 +1 位作者 曹广军 谢基凡 《华中理工大学学报》 CSCD 北大核心 1996年第3期68-70,共3页
论述了铁电场效应晶体管（ＦＦＥＴ）的基本工作原理，给出了其设计方案．采用ＳＯＬ－ＧＥＬ法制备了基本的ＭＦＳ－ＦＥＴ和ＭＦＯＳ－ＦＥＴ，对其电性能进行了测试分析．测试结果表明：ＭＦＯＳ结构的ＦＦＥＴ具有极化存储特性．
关键词 MFOS结构 FFET 场效应晶体管 铁电场效应器件
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