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金属β-二酮化合物用于MOCVD法生长铁电氧化物薄膜
被引量:
1
1
作者
许效红
侯云
+2 位作者
王民
王弘
周爱秋
《化学进展》
SCIE
CAS
CSCD
2002年第1期61-67,共7页
对用于 MOCVD法生长铁电氧化物薄膜的金属 β-二酮化合物的制备、结构及性质进行了评述 ,对它们在生长铁电薄膜中的应用现状进行了介绍 ,并对它们的应用前景作了展望。
关键词
金属β-二酮化合物
金属有机化学气相沉积
铁电氧化物薄膜
MOCVD
结构
性质
制备
下载PDF
职称材料
题名
金属β-二酮化合物用于MOCVD法生长铁电氧化物薄膜
被引量:
1
1
作者
许效红
侯云
王民
王弘
周爱秋
机构
山东大学晶体材料国家重点实验室
山东大学化学与环境科学学院
出处
《化学进展》
SCIE
CAS
CSCD
2002年第1期61-67,共7页
基金
国家"8 6 3"新材料领域基金
山东大学晶体材料国家重点实验室开放课题资助
文摘
对用于 MOCVD法生长铁电氧化物薄膜的金属 β-二酮化合物的制备、结构及性质进行了评述 ,对它们在生长铁电薄膜中的应用现状进行了介绍 ,并对它们的应用前景作了展望。
关键词
金属β-二酮化合物
金属有机化学气相沉积
铁电氧化物薄膜
MOCVD
结构
性质
制备
Keywords
metal β-diketonates
MOCVD
ferroelectric thin films
分类号
TM221 [一般工业技术—材料科学与工程]
O484 [理学—固体物理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
金属β-二酮化合物用于MOCVD法生长铁电氧化物薄膜
许效红
侯云
王民
王弘
周爱秋
《化学进展》
SCIE
CAS
CSCD
2002
1
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