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题名ITO用作铁电薄膜电极的研究
被引量:6
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作者
李金华
陈汉松
李坤
汤国英
陈王丽华
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机构
江苏石油化工学院功能材料实验室
香港理工大学电子工程系
香港理工大学应用物理系
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出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第1期64-66,共3页
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基金
香港GRC(大学研究基金会)资金资助项目
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文摘
研究了sol -gel掺锡氧化铟 (ITO)溶胶在SiO2 /Si衬底和光学玻璃衬底上的成膜及结晶性能 ,并与CVD法生长的ITO薄膜作了对比。结论是 ,sol -gelITO膜 ,虽然具有与CVDITO膜相似的结晶性能和较高的导电性 ,但以sol -gelITO膜作下电极 ,无法使PLT、PZT的sol -gel膜具有明显的结晶取向。因漏电太大 ,sol -gelITO也无法作sol -gel铁电膜 (如PLT ,PZT)的上电极。但在CVDITO膜上 ,sol -gel铁电膜能很好结晶 ,且Au/PLT/ITO电容 ,具有良好的电学性能。
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关键词
ITO薄膜
铁电电容电极
SOL-GEL法
FERAM
随机存
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Keywords
indium-tin oxide
electrode of ferroelectric capacitor
sol-gel method
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分类号
TP333.8
[自动化与计算机技术—计算机系统结构]
TN304.21
[电子电信—物理电子学]
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