采用射频磁控溅射法,在室温Pt/Ti/SiO_2/Si上制备了非晶态Pb(Zr_(0.48)Ti_(0.52))O_3(PZT)薄膜,经不同温度,相同保温时间快速退火处理使其转化为多晶PZT薄膜。用XRD,AFM测定了PZT薄膜的相组分与表面结构,并利用压电响应力显微镜...采用射频磁控溅射法,在室温Pt/Ti/SiO_2/Si上制备了非晶态Pb(Zr_(0.48)Ti_(0.52))O_3(PZT)薄膜,经不同温度,相同保温时间快速退火处理使其转化为多晶PZT薄膜。用XRD,AFM测定了PZT薄膜的相组分与表面结构,并利用压电响应力显微镜(piezoresponse force microsco-py,PFM)观察了初始晶化和高度晶化样品自发极化形成的铁电畴。结果表明:PZT薄膜晶化发生在550℃,PFM可观察到自发形成的圆形铁电畴。650℃处理的样品晶化最充分并呈现出(111)择优取向,用PFM观察到该样品形成具有强烈压电信号的电畴。由此分别算得铁电相占薄膜总体积的(7.8±0.2)%和(97.3±0.2)%。PFM结合XRD,AFM的运用为寻求铁电薄膜晶化机理提供了新的途径。展开更多
文摘采用射频磁控溅射法,在室温Pt/Ti/SiO_2/Si上制备了非晶态Pb(Zr_(0.48)Ti_(0.52))O_3(PZT)薄膜,经不同温度,相同保温时间快速退火处理使其转化为多晶PZT薄膜。用XRD,AFM测定了PZT薄膜的相组分与表面结构,并利用压电响应力显微镜(piezoresponse force microsco-py,PFM)观察了初始晶化和高度晶化样品自发极化形成的铁电畴。结果表明:PZT薄膜晶化发生在550℃,PFM可观察到自发形成的圆形铁电畴。650℃处理的样品晶化最充分并呈现出(111)择优取向,用PFM观察到该样品形成具有强烈压电信号的电畴。由此分别算得铁电相占薄膜总体积的(7.8±0.2)%和(97.3±0.2)%。PFM结合XRD,AFM的运用为寻求铁电薄膜晶化机理提供了新的途径。