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铁电重要应用领域——铁电薄膜器件
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作者 肖定全 《国际学术动态》 1998年第1期49-50,共2页
第9届国际铁电学会议(The 9th International Meeting on Ferroelectricity,简记为IMF-9)于1997年8月24~29日在韩国汉城市Swiss Grand Hotel召开。大会收到论文摘要1000余篇,来自33个国家的850余名科技人员出席了会议。国际著名铁电学... 第9届国际铁电学会议(The 9th International Meeting on Ferroelectricity,简记为IMF-9)于1997年8月24~29日在韩国汉城市Swiss Grand Hotel召开。大会收到论文摘要1000余篇,来自33个国家的850余名科技人员出席了会议。国际著名铁电学家J.F.Scott教授在"铁电学研究回顾及展望"的特邀报告中指出,在过去几十年中,铁电学(包括铁电物理、材料和器件)的研究取得了重要的进展,特别是铁电软模理论、非正常铁电体(improper ferroelectrics)、弛豫性铁电体以及集成铁电薄膜等的研究,对促进铁电学的发展起到重要作用。他还概括了本届会议上几个引人注目的进展,包括利用第一原理计算立方钙钛矿结构材料的结构相变,薄膜的外延生长,铁电应用(包括多层膜、光学器件应用)等,并指出铁电薄膜方面的进展尤为重要。人们可以期望,铁电学研究,将作为一个新的颇富成效的领域,进入21世纪。会议决定,下届国际铁电学会议,将于2001年在西班牙召开。 展开更多
关键词 铁电 ICM 铁电学会议 铁电薄膜器件
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铁电薄膜器件
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《红外》 CAS 2001年第8期40-40,共1页
关键词 铁电薄膜器件 构成 DRAM 铁电RAM 电容器
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铁电薄膜研究述评
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作者 肖定全 《国际学术动态》 1995年第6期71-73,共3页
关键词 铁电薄膜 薄膜生长 存储器 铁电薄膜器件
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