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B^+注入沾污与Fe^+·B^-离子对的增强扩散效应
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作者 曾庆城 王水风 罗房芳 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 1993年第S2期79-81,共3页
显微观测LSI硼注入硅形成的PN结,发现横向结深大于纵向结深,用紫外荧光法检测了B^+注入样品的Fe杂质沾污,研究了Fe^+·B^-离子“对”在SiO_2边缘的横向增强扩散效应.
关键词 离子注入 铁硼离子对 横向增强扩散
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