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B^+注入沾污与Fe^+·B^-离子对的增强扩散效应
1
作者
曾庆城
王水风
罗房芳
《厦门大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
1993年第S2期79-81,共3页
显微观测LSI硼注入硅形成的PN结,发现横向结深大于纵向结深,用紫外荧光法检测了B^+注入样品的Fe杂质沾污,研究了Fe^+·B^-离子“对”在SiO_2边缘的横向增强扩散效应.
关键词
离子
注入
铁硼离子对
横向增强扩散
下载PDF
职称材料
题名
B^+注入沾污与Fe^+·B^-离子对的增强扩散效应
1
作者
曾庆城
王水风
罗房芳
机构
南昌大学应用物理所
出处
《厦门大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
1993年第S2期79-81,共3页
基金
江西省自然科学基金
国家自然科学基金
文摘
显微观测LSI硼注入硅形成的PN结,发现横向结深大于纵向结深,用紫外荧光法检测了B^+注入样品的Fe杂质沾污,研究了Fe^+·B^-离子“对”在SiO_2边缘的横向增强扩散效应.
关键词
离子
注入
铁硼离子对
横向增强扩散
分类号
N55 [自然科学总论]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
B^+注入沾污与Fe^+·B^-离子对的增强扩散效应
曾庆城
王水风
罗房芳
《厦门大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
1993
0
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