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多通道铁磁纳米线中的自旋极化和磁电阻
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作者 霍丽娟 袁庆祝 《河北师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2006年第2期165-168,共4页
利用散射矩阵理论,研究了多通道纳米线结构中的量子化电导、自旋极化和弹道磁电阻.结果表明:在铁磁排列时,自旋简并解除,量子化电导以e2/h为单位变化,自旋极化率可以达到33%;随着纳米线宽度的减小,弹道磁电阻增长迅速;当线细到只有一种... 利用散射矩阵理论,研究了多通道纳米线结构中的量子化电导、自旋极化和弹道磁电阻.结果表明:在铁磁排列时,自旋简并解除,量子化电导以e2/h为单位变化,自旋极化率可以达到33%;随着纳米线宽度的减小,弹道磁电阻增长迅速;当线细到只有一种自旋态电子通过时,磁电阻达到无穷大,其自旋极化率为100%. 展开更多
关键词 铁磁纳米线 自旋极化 磁电阻
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Heusler合金磁性纳米线的制备方法及磁性的研究进展
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作者 刘磊 闫泽 +2 位作者 李应琛 许云丽 潘礼庆 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第13期13148-13159,共12页
前HAMNWs制备工艺尚未成熟,存在组分偏差、结构无序、形貌不均等问题,阻碍了其基本物理性质的研究和功能器件的应用设计。当前已有的HAMNWs制备方法包括扩散驱动退火法、模板辅助法、化学合成退火法、分子束外延法、静电纺丝法、电沉积... 前HAMNWs制备工艺尚未成熟,存在组分偏差、结构无序、形貌不均等问题,阻碍了其基本物理性质的研究和功能器件的应用设计。当前已有的HAMNWs制备方法包括扩散驱动退火法、模板辅助法、化学合成退火法、分子束外延法、静电纺丝法、电沉积法等,这些方法各有其优势和缺陷。其中,SBA-15模板辅助的化学合成退火法制备的HAMNWs组分精确、结构高度有序,但该模板与AAO模板相比,孔道均一性相对较差,导致纳米线形貌均一性和有序性较弱;分子束外延法可以实现纳米线以原子级精度生长,然而,其制备设备昂贵、操作复杂,难以推广普及;扩散驱动退火法主要针对二元核壳型HAMNWs,而对于三元HAMNWs,其适用难度较大;静电纺丝法对组分和结构的控制较好,但对纳米线的形貌均一性控制较弱,整体呈纤维状;电沉积法制备的纳米线形貌均一可控,但对于含有难共沉积元素的合金纳米线,其组分和结构控制都较差。本文综述了HAMNWs的制备方法,详细对比了各种方法的优缺点;重点针对直流、脉冲、交流电沉积法制备过程中不同的生长机理进行了讨论,并在此基础上分析了纳米线生长过程中各种因素的影响与调控。同时还对纳米线的基本物理性质和磁性参数进行了归纳总结,最后对未来HAMNWs的制备及应用发展进行了展望。 展开更多
关键词 HEUSLER合金 铁磁纳米线 磁学性能
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磁热噪音下纳米铁磁线磁畴壁脱钉行为
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作者 马晓萍 沈帝虎 +3 位作者 李尚赫 DJUHANA Dede 朴红光 金东炫 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第28期2927-2933,共7页
为了考察由热起伏引起的磁性噪音(磁热噪音)对纳米铁磁线磁畴壁动力学的影响,通过微磁学模拟研究了在不同温度磁热噪音下纳米铁磁线磁畴壁脱钉(depinning)行为.为了分析磁畴壁的钉扎和脱钉行为,在纳米铁磁线上制作了一个纳米凹槽使磁畴... 为了考察由热起伏引起的磁性噪音(磁热噪音)对纳米铁磁线磁畴壁动力学的影响,通过微磁学模拟研究了在不同温度磁热噪音下纳米铁磁线磁畴壁脱钉(depinning)行为.为了分析磁畴壁的钉扎和脱钉行为,在纳米铁磁线上制作了一个纳米凹槽使磁畴壁牢牢地钉扎(pinning)在凹槽中.在外磁场驱动下,利用纳米铁磁线的纳米凹槽考察了磁畴壁的钉扎和脱钉行为.结果表明,在无磁热噪音条件(T=0 K)下,磁畴壁在不同纳米凹槽中受到"U"或"W"字形状能量势阱的约束,影响了磁畴壁的钉扎状态和脱钉行为.在磁热噪音条件(T≠0 K)下,纳米铁磁线磁畴壁虽然保持着自旋结构上的特征和动力学上的行为特性,但是随着温度升高,磁热噪音对纳米凹槽能量势阱的影响明显增强,不仅纳米凹槽的能量势阱形状发生变化,而且磁畴壁在纳米凹槽中的脱钉磁场强度也发生改变.这意味着在磁热噪音下利用纳米线的几何形状不易有效调控磁畴壁的动力学行为. 展开更多
关键词 纳米铁磁线 磁畴壁运动 磁热噪音 微磁学模拟
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《信息记录材料》2011年总目录
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《信息记录材料》 2011年第6期F0003-F0003,共1页
关键词 铁磁纳米线 光折变光子晶格 杂化 信息记录材料 目录 检索工具
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Coexistence of antiferromagnetic and ferromagnetic in Mn-doped anatase TiO_2 nanowires
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作者 李红梅 刘敏 +1 位作者 曾阳素 黄同成 《Journal of Central South University》 SCIE EI CAS 2010年第2期239-243,共5页
A series of Mn-doped TiO2 nanowires(NWs) were prepared by hydrothermal method at the mole fraction of Mn changing from 0 to 12.0%.X-ray powder diffraction(XRD) analysis shows that all the samples have pure anatase str... A series of Mn-doped TiO2 nanowires(NWs) were prepared by hydrothermal method at the mole fraction of Mn changing from 0 to 12.0%.X-ray powder diffraction(XRD) analysis shows that all the samples have pure anatase structure.SEM and TEM studies show that the diameter and the length of the Mn-doped TiO2 NWs are larger than those of the undoped TiO2 NWs.Energy dispersive X-ray spectroscopy(EDX) reveals that the samples are composed of Ti,Mn and O.According to magnetization measurements,all samples show ferromagnetic behavior,but only the undoped TiO2 NWs are completely ferromagnetic with a saturated magnetization about 1.0 mA·m2/kg.Mn-doped TiO2 samples exhibit antiferromagnetic and ferromagnetic(AF-FM) behaviors simultaneously.Photoluminescence(PL) spectra demonstrate the existence of MnO2 sublattice.These observations indicate that an AF-WF crossover is induced by the coexistence of TiO2 sublattice and MnO2 sublattice. 展开更多
关键词 TiO2 NANOWIRES Mn ANTIFERROMAGNETISM FERROMAGNETISM
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Giant magnetoresistance:history,development and beyond 被引量:1
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作者 TIAN YuFeng YAN ShiShen 《Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)》 SCIE EI CAS 2013年第1期2-14,共13页
With the discovery of giant magnetoresistance(GMR),research effort has been made to exploiting the influence of spins on the mobility of electrons in ferromagnetic materials and/or artificial structures,which has lead... With the discovery of giant magnetoresistance(GMR),research effort has been made to exploiting the influence of spins on the mobility of electrons in ferromagnetic materials and/or artificial structures,which has lead to the idea of spintronics.A brief introduction is given to GMR effects from scientific background to experimental observations and theoretical models.In addition,the mechanisms of various magnetoresistance beyond the GMR are reviewed,for instance,tunnelling magnetoresistance,colossal magnetoresistance,and magnetoresistance in ferromagnetic semiconductors,nanowires,organic spintronics and non-magnetic systems. 展开更多
关键词 giant magnetoresistance SPINTRONICS ferromagnetic semiconductors spin dependent scattering tunnelling magnetore-sistance
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