铁电随机存储器的研究进展

铁电薄膜与半导体集成技术相结合而发展起来的铁电存储器,以其高密度、高速度、非易失性及抗辐射性而大大优于目前任何一种半导体存储器。该文介绍了铁电存储器的存储原理、特点、基本存储单元、研究进展、应用及存在的问题,并指出1T结构的铁电随机存储器(FRAM)将会成为下一代随机存储器。

带有铁电随机存取存储器的高精度实时时钟所具备的优势

1概述 随着DS32X35系列产品的发布，Dallas Semiconductor公司提供了无需电池的非易失存储器。这些器件采用铁电随机存取存储器（FRAM）技术。FRAM是非易失存储器。其读／写操作与RAM类似。该系列器件能够可靠地将数据保持10年之久。与EEPROM和其他非易失存储器不同的是：它不需要考虑系统复杂性、过度开销以及可靠性等问题。从1992年出现第一块FRAM至今。铁电随机存取存储技术已趋于成熟。

富士通和爱普生联合开发FRAM存储器

富上通公司和精工爱普生公司近日宣布．双方已签署协议将联合开发下一代铁电随机存储器（FRAM）非易失存储器技术。

富士通和爱普生将联合开发下一代FRAM非易失性存储器技术

富士通公司和精工爱普生公司近日宣布，双方已签署协议将联合开发下一代铁电随机存储器（Ferroelectric Random Access Memory，FRAM）非易失性存储器技术。

富士通和爱普生宣布将联合开发下一代FRAM非易失存储器技术

富士通公司和精工爱普生公司近日宣布，双方已签署协议将联合开发下一代铁电随机存储器(Ferroelectric Random Access Memory，FRAM)非易失存储器技术。

新型存储器发展面面观

随着消费类电子产品成为市场新宠,用户携带大容量数据的机会增多,可以预见随身携带数Gb存储器的日子即将在几年之内到来。NAND闪存无疑将成为这些产品中的关键组件。往未来看,可替代闪存的下一代存储器的竞争业已展开。

基于伪静态存储器的设计

伪静态存储器的设计是用于直接替代静态随机存储器，即使内部存储器的操作并非静态。商业化的两种伪静态存储器分别是伪静态随机存储器及铁电随机存储器（FRAM）。本文所描述的技术与电路可用于设计伪静态存储器，可直接替代静态存储器。通过移动电话中PSRAM的快速采用，及从BBSRAM向FRAM的持续迂移。

缩小的存储器

铁电随机访问存储器（简称为FRAM）利用排列偶极子（分离的电荷）来代表0和1，这使它具有RAM数据访问的速度，而更值得注意的是它具备无须水泵能量即可保持数据的能力。遗憾的是，FRAM不能提供同样多的存储空间，较小铁电片中的偶极子无法轻易地排成队列。如今，来自美国阿肯色大学的研究人员可能发现了一种缩小铁电片的方法。

代替Flash和SRAM的铁电存储器

到目前为止,根据使用领域,Flash(闪存)、SRAM和 DRAM 第一选择主要用于便携设备。但新技术挤进市场。铁电随机存取存储器(FRAM)(Ferroelec-tric Random Access Memory),一种非易失性存储器,消耗能量少,写入/读出次数无限,没有备用电池仍正常工作,多年存储后也不会消失,并具有高运行速度和高存储容量的特点。与借助电容以电荷形式存储数据的一般存储器芯片相反,FRAM

2014年度中国最具竞争力存储器产品

公司名称：富士通半导体（Fujitsu Semiconductor）入选产品：MB85RC1MT FRAM铁电随机存储器产品介绍：MB85RC1MT的出现增加了富士通半导体的FRAM产品阵容：I2C接口（支持4 Kb至1Mb内存容量）和SPI接口（16 Kb至2 Mb内存容量）。

富士通针对车载电子和工业控制系统推出全新FRAM存储解决方案

富士通电子元器件（上海）有限公司在2017年6月5日宣布，推出全新FRAM（铁电随机存储器）解决方案——MB85RS128TY和MB85RS256TY，此为该全新产品系列的首推器件。这两款器件可在高达125℃的高温环境下运作，专为汽车产业和安装有电机的工业控制机械等设计，且符合严苛的汽车行业AEC Q100标准规范。富士通电子希望通过该全新产品系列拓展其汽车市场的各种应用，并支持产品创新的研发项目．

富士通推出全新FRAM存储解决方案

富士通电子元器件（上海）有限公司近日宣布，推出全新铁电随机存储器（FRAM）解决方案——MB85RSl28TY和MB85RS256TY，此为该全新产品系列的首推器件。这两款器件可在高达125℃的高温环境下运作，专为汽车产业和安装有电机的工业控制机械等设计，

RAMTRON宣布为4兆位并口非易失性F-RAM存储器提供FBGA封装选择

全球领先的非易失性铁电随机存取存储器（F—RAM）和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布提供采用最新FBGA封装的49 Mb F—RAM存储器。FM22LD16是采用48脚FBGA封装的3V、4Mb并口非易失性FRAM，具有高访问速度、几乎无限的读／写次数以及低功耗等优点。

富士通半导体成功推出业界最小尺寸的FRAM器件

富士通半导体（上海）有限公司（以下简称富士通半导体）最近火了,它的一个新创举在半导体领域掀起了轩然大波。它成功推出了拥有1 Mb内存的FRAM（铁电存储器）产品——MB85RS1MT,由于该器件采用晶圆级芯片尺寸封装（WL-CSP）,一举成为业内拥有SPI接口的、尺寸最小的1 Mb FRAM器件。

FRAM在医疗领域和智能电表中的应用及发展

1 FRAM的产品定位和优点 FRAM（铁电随机存取存储器）是一种使用铁电膜来保存数据的非易失性铁电存储器.这种存储器具有非易失性和随机存取的特性,非易失性意味着即便关闭芯片的电源,存放在存储器里的数据也能保存下来.

TI超低功耗FRAM微控制器让世界变得更加智能

德州仪器（TI）推出超低功耗铁电随机存取存储器（FRAM）t6位微控制器，从而宣告可靠数据录入和射频（RF）通信能力进入了一个新时代。新型MSP430FR57xx FRAM可在所有的电源模式中提供数据保存功能、支持超过100万亿次的写入次数，并为开发人员提供了一个全新的灵活度（允许其通过软件变更来完成数据内存与程序内存的分区）。

德州仪器推出业界首款超低功耗FRAM微控制器

日前,德州仪器（TI）宣布推出业界首款超低功耗铁电随机存取存储器（FRAM）16位微控制器,从而宣告可靠数据录入和射频（RF）通信能力进入了一个新时代。新型MSP430FR57xxFRAM系列的面市进一步彰显了TI在嵌入式处理技术领域的领先地位,与基于闪存和EEPROM的微控制器相比,

富士通半导体推出基于0.18μm技术的全新SPI FRAM

富士通半导体（上海）有限公司今日宣布推出基于0．18μm技术的全新SPI FRAM产品家族．包括MB85RS256A、MB85RS128A和MB85RS64A这3个型号，并从即日起开始为客户提供样片。FRAM（Ferroelectric Random Access Memory铁电随机存储器）将SRAM的快写与闪存的非易失性优势集中在一块芯片上。