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离子束辅助沉积制备的铁锆多层膜中的相演化 被引量:2
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作者 丁珉 曾飞 潘峰 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期19-21,48,共4页
研究了用氩离子束辅助沉积 ( IBAD)技术制备的铁 /锆多层膜中的微结构演化规律。实验中所使用的氩离子能量范围为 4ke V到 1 2 ke V,束流密度为 1 2 μA/cm2 。实验结果表明 ,用 IBAD技术可在富锆端制备出完全非晶化的薄膜。对于 Fe( 0 ... 研究了用氩离子束辅助沉积 ( IBAD)技术制备的铁 /锆多层膜中的微结构演化规律。实验中所使用的氩离子能量范围为 4ke V到 1 2 ke V,束流密度为 1 2 μA/cm2 。实验结果表明 ,用 IBAD技术可在富锆端制备出完全非晶化的薄膜。对于 Fe( 0 .54nm) /Zr( 4 .5nm)多层膜 ,随 Ar离子能量的增加 ,在薄膜中还观察到晶态 -非晶 -亚稳 fcc相 -非晶 -晶态的结构转变。对于富铁合金膜 ,IBAD技术仅能制备部分非晶化的薄膜。 展开更多
关键词 离子束辅助沉积 铁锆合金薄膜 非晶合金薄膜
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