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离子束辅助沉积制备的铁锆多层膜中的相演化
被引量:
2
1
作者
丁珉
曾飞
潘峰
《材料工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第4期19-21,48,共4页
研究了用氩离子束辅助沉积 ( IBAD)技术制备的铁 /锆多层膜中的微结构演化规律。实验中所使用的氩离子能量范围为 4ke V到 1 2 ke V,束流密度为 1 2 μA/cm2 。实验结果表明 ,用 IBAD技术可在富锆端制备出完全非晶化的薄膜。对于 Fe( 0 ...
研究了用氩离子束辅助沉积 ( IBAD)技术制备的铁 /锆多层膜中的微结构演化规律。实验中所使用的氩离子能量范围为 4ke V到 1 2 ke V,束流密度为 1 2 μA/cm2 。实验结果表明 ,用 IBAD技术可在富锆端制备出完全非晶化的薄膜。对于 Fe( 0 .54nm) /Zr( 4 .5nm)多层膜 ,随 Ar离子能量的增加 ,在薄膜中还观察到晶态 -非晶 -亚稳 fcc相 -非晶 -晶态的结构转变。对于富铁合金膜 ,IBAD技术仅能制备部分非晶化的薄膜。
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关键词
离子束辅助沉积
铁锆合金薄膜
非晶
合金
薄膜
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职称材料
题名
离子束辅助沉积制备的铁锆多层膜中的相演化
被引量:
2
1
作者
丁珉
曾飞
潘峰
机构
清华大学材料科学与工程系先进材料教育部重点实验室
出处
《材料工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第4期19-21,48,共4页
基金
国家自然科学基金!的资助 ( 1 98750 2 7)
文摘
研究了用氩离子束辅助沉积 ( IBAD)技术制备的铁 /锆多层膜中的微结构演化规律。实验中所使用的氩离子能量范围为 4ke V到 1 2 ke V,束流密度为 1 2 μA/cm2 。实验结果表明 ,用 IBAD技术可在富锆端制备出完全非晶化的薄膜。对于 Fe( 0 .54nm) /Zr( 4 .5nm)多层膜 ,随 Ar离子能量的增加 ,在薄膜中还观察到晶态 -非晶 -亚稳 fcc相 -非晶 -晶态的结构转变。对于富铁合金膜 ,IBAD技术仅能制备部分非晶化的薄膜。
关键词
离子束辅助沉积
铁锆合金薄膜
非晶
合金
薄膜
Keywords
ion beam assisted deposition (IBAD)
amorphous thin films
Fe/Zr alloy
分类号
TG146.414 [金属学及工艺—金属材料]
O484.1 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
离子束辅助沉积制备的铁锆多层膜中的相演化
丁珉
曾飞
潘峰
《材料工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000
2
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职称材料
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