Bi、Sb摩尔比为4:1的ZnO压敏陶瓷的低温烧结制备及性能

采用传统电子陶瓷制备工艺,制备了Bi、Sb摩尔比为4:1的ZnO–Bi_(2)O_(3)基压敏陶瓷,研究低温(<1000℃)烧结所得样品的显微结构和电学性能。结果表明,样品具有高的致密度和均匀的粒径,而且综合电学性能良好,电位梯度在599~1154V/mm范围内。当Bi_(2)O_(3)、Sb_(2)O_(3)含量分别为0.60%(摩尔分数)和0.15%时,900℃烧结的样品,综合电学性能最优,电位梯度高达1154 V/mm,非线性系数为13.7,漏电流为39μA。当烧结温度为920℃及以上时,Bi、Sb含量不同,Bi、Sb比值相同的2组样品,电位梯度非常接近,这为ZnO压敏陶瓷低碳制备提供一种新思路。