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脉冲激光沉积c轴取向BiCuSeO外延薄膜及其热电性能
1
作者
袁大超
郭双
+2 位作者
郝建军
马跃进
王淑芳
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第1期152-155,共4页
利用脉冲激光沉积技术在SrTiO3单晶基片上制备了BiCuSeO薄膜并详细研究了沉积温度对薄膜晶体结构、微观形貌及热电输运性能的影响。在最佳沉积温度(330℃)下,所制备的BiCuSeO薄膜不含任何杂相且沿c轴取向外延生长,与基片的外延关系为[01...
利用脉冲激光沉积技术在SrTiO3单晶基片上制备了BiCuSeO薄膜并详细研究了沉积温度对薄膜晶体结构、微观形貌及热电输运性能的影响。在最佳沉积温度(330℃)下,所制备的BiCuSeO薄膜不含任何杂相且沿c轴取向外延生长,与基片的外延关系为[010]SrTiO3∥[010]BiCuSeO和[001]SrTiO3∥[100]BiCuSeO。电学性能测试表明该薄膜在20~350 K内均表现出金属导电特性,室温电阻率仅为12.5 mΩ·cm,远低于相应的多晶块体材料。计算所得的室温功率因子PF约为3.3μW·cm-1·K-2,高于相应的多晶块体材料,表明c轴取向BiCuSeO外延薄膜在薄膜热电器件领域具有重要的应用前景。
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关键词
铋铜硒氧外延薄膜
C轴取向
热电性能
脉冲激光沉积
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职称材料
题名
脉冲激光沉积c轴取向BiCuSeO外延薄膜及其热电性能
1
作者
袁大超
郭双
郝建军
马跃进
王淑芳
机构
河北农业大学机电工程学院
河北大学物理科学与技术学院
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第1期152-155,共4页
基金
国家自然科学基金(51372064
11703004)
+2 种基金
河北省自然科学基金(E2017201227
E2017201209
QN2017017)~~
文摘
利用脉冲激光沉积技术在SrTiO3单晶基片上制备了BiCuSeO薄膜并详细研究了沉积温度对薄膜晶体结构、微观形貌及热电输运性能的影响。在最佳沉积温度(330℃)下,所制备的BiCuSeO薄膜不含任何杂相且沿c轴取向外延生长,与基片的外延关系为[010]SrTiO3∥[010]BiCuSeO和[001]SrTiO3∥[100]BiCuSeO。电学性能测试表明该薄膜在20~350 K内均表现出金属导电特性,室温电阻率仅为12.5 mΩ·cm,远低于相应的多晶块体材料。计算所得的室温功率因子PF约为3.3μW·cm-1·K-2,高于相应的多晶块体材料,表明c轴取向BiCuSeO外延薄膜在薄膜热电器件领域具有重要的应用前景。
关键词
铋铜硒氧外延薄膜
C轴取向
热电性能
脉冲激光沉积
Keywords
BiCuSeO epitaxial thin films
c-axis orientation
thermoelectric properties
pulsed laser deposition
分类号
TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]
O484 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
脉冲激光沉积c轴取向BiCuSeO外延薄膜及其热电性能
袁大超
郭双
郝建军
马跃进
王淑芳
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019
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职称材料
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