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沉积温度为室温和560℃的Nb/Si多层膜微结构研究 被引量:2
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作者 张明 赵建华 +2 位作者 曹立民 许应凡 王文魁 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1999年第2期154-158,共5页
对多靶离子溅射制备的Nb/Si周期多层膜的微结构进行了实验研究。利用X射线衍射和截面透射电子显微镜观测到室温和 56 0℃沉积的Nb/Si多层膜为非晶多层膜 ,但它们的微结构有很大的不同。采用沉积原子表面活动性和界面反应程度解释了所得... 对多靶离子溅射制备的Nb/Si周期多层膜的微结构进行了实验研究。利用X射线衍射和截面透射电子显微镜观测到室温和 56 0℃沉积的Nb/Si多层膜为非晶多层膜 ,但它们的微结构有很大的不同。采用沉积原子表面活动性和界面反应程度解释了所得到的结果。 展开更多
关键词 多层膜 沉积温度 界面结构 室温 微结构 铌/硅
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渐进因子分析法及其在Au/Ni/Si薄膜俄歇深度剖面研究中的应用 被引量:1
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作者 谢舒平 杨得全 范垂祯 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1997年第1期26-33,共8页
将渐进因子分析法应用于俄歇深度剖面的化学态研究。通过对Au/Ni/Si薄膜样品深度剖析过程的渐进因子分析,最终获得了各元素的化学状态和深度分布,并发现Au/Ni/Si样品中Ni/Si界面在室温下已发生反应,生成富Si的NixSi化合物层。... 将渐进因子分析法应用于俄歇深度剖面的化学态研究。通过对Au/Ni/Si薄膜样品深度剖析过程的渐进因子分析,最终获得了各元素的化学状态和深度分布,并发现Au/Ni/Si样品中Ni/Si界面在室温下已发生反应,生成富Si的NixSi化合物层。样品经真空退火处理后,Ni/Si界面进一步反应生成Ni2Si合金,而原有的NixSi化合物含量相对减少,并向Si基体侧扩展,同时Ni穿透Au膜在样品表面富集。渐进因子分析的结果与XPS分析相一致。 展开更多
关键词 俄歇电子能谱 深度剖面 铜/铌/硅 薄膜
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非晶调制多层膜Nb/Si中的互扩散研究 被引量:2
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作者 张明 于文 +2 位作者 张君 张远仪 王文魁 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第10期1724-1728,共5页
利用原位X射线衍射技术得到非晶调制多层膜Nb/Si中的互扩散系数与退火温度的关系,调制周期L=32nm的非晶调制多层膜是用粒子溅射方法制备的.温度范围为423—523K的有效互扩散系数通过原位测量多层膜的一级调制峰... 利用原位X射线衍射技术得到非晶调制多层膜Nb/Si中的互扩散系数与退火温度的关系,调制周期L=32nm的非晶调制多层膜是用粒子溅射方法制备的.温度范围为423—523K的有效互扩散系数通过原位测量多层膜的一级调制峰强度与退火温度之间的关系而得到.利用缺陷陷阱延迟扩散机制解释了所得到的扩散系数与退火温度的关系. 展开更多
关键词 铌/硅 互扩散 多层 薄膜 非晶调制
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