Au/Si基片上沉积Bi_(1.5)Zn_(1.0)Nb_(1.5)O_7薄膜介电性能的研究

采用磁控溅射法在Au／Si基片上制备了铌酸锌铋BZN（Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7）薄膜。在基片温度200℃、本底真空1×10^-3Pa条件下，BZN靶溅射0．5h，作为自缓冲层；然后在400℃下溅射1．5h，薄膜总厚度为200nm，650℃原位真空退火1h。XRD分析显示该薄膜为〈222〉单一取向，结晶良好；AFM扫描显示表面平整；测试表明不同频率下薄膜的性能没有大的改变。实验证明，选用电阻率较小的Au电极材料有利于器件性能的提高，实验得到介电常数可调率约20％、损耗为0．002-0．004。

Bi_(1.5)Zn_(1.0)Nb_(1.5)O_7/Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3复合薄膜介电性能的频率特性研究

采用射频磁控溅射法在蓝宝石基片上制备了Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7(BZN)/Ba0.5Sr0.5TiO3(BST)双层复合薄膜,并研究了该薄膜在100 kHz^6 GHz频率范围内的介电性能。研究结果表明,BZN/BST复合薄膜的介电性能具有良好的频率稳定性。该复合薄膜的介电常数在研究的频率范围内基本与频率无关;其介电损耗在频率低于1 GHz时与频率无关,在频率高于1 GHz时随频率的上升而略微增大;薄膜在研究的频率范围内具有稳定的介电调谐率。